Peregrine新款75Ω射频开关展现宽带高性能..
发布时间:2008/5/29 0:00:00 访问次数:367
射频cmos集成电路供应商peregrine半导体公司今日宣布,pe42742宽带用高性能射频开关正式上市。该器件阻抗为75ω,设计标准比严格的fcc(美国通信委员会)第15.115段规定更为严苛,其隔离水平当属业内最高,为88db @ 216mhz及78db @ 806mhz。独有的设计性能,令此器件在断电状态下仍能维持隔离水平。本器件有众多要求,比单纯遵守fcc对catv就天线隔离所做的规定更为严格,上述设计性能便是其中之一。
“pe42742表明,ultracmos技术卓越的线性度及隔离优势,造就高价值、创新型射频集成电路,其性能在宽带行业卓尔不群。”peregrine行销副总裁rodd novak说道。“本产品致力解决dtv、tv及dvr行业遭遇的技术挑战,从而得到了设计这些终端产品的工程师的热烈反响。此外,pe42742设计基础为高性能ultracmos,足以成为其他类型宽带应用的可行解决方案。”
pe42742具有很高的iip3(50dbm @ 5mhz–1ghz)和iip2(90dbm @ 5mhz—1ghz),-90dbc的ctb和1.0kv hbm的高esd裕度。本器件还有独特的“端接”和“闭合”断电模式,从而得以适用于任何dtv、tv、dvr或机顶盒。在这些设备中,关闭状态下的反射信号可能会影响本机图像。器件同样适用于dvr和游戏平台,此时,catv信号必须在断电状态下通过器件。
关于ultracmos技术
ultracmos混合信号工艺技术使用蓝宝石衬底,是绝缘体上覆硅(soi)技术的扩展,受专利保护,可提高收益并降低成本。与首先强调射频性能、低功率和集成的gaas、sige bicmos及bulk cmos等竞争应用工艺相比,此技术具有极大的性能优势。
射频cmos集成电路供应商peregrine半导体公司今日宣布,pe42742宽带用高性能射频开关正式上市。该器件阻抗为75ω,设计标准比严格的fcc(美国通信委员会)第15.115段规定更为严苛,其隔离水平当属业内最高,为88db @ 216mhz及78db @ 806mhz。独有的设计性能,令此器件在断电状态下仍能维持隔离水平。本器件有众多要求,比单纯遵守fcc对catv就天线隔离所做的规定更为严格,上述设计性能便是其中之一。
“pe42742表明,ultracmos技术卓越的线性度及隔离优势,造就高价值、创新型射频集成电路,其性能在宽带行业卓尔不群。”peregrine行销副总裁rodd novak说道。“本产品致力解决dtv、tv及dvr行业遭遇的技术挑战,从而得到了设计这些终端产品的工程师的热烈反响。此外,pe42742设计基础为高性能ultracmos,足以成为其他类型宽带应用的可行解决方案。”
pe42742具有很高的iip3(50dbm @ 5mhz–1ghz)和iip2(90dbm @ 5mhz—1ghz),-90dbc的ctb和1.0kv hbm的高esd裕度。本器件还有独特的“端接”和“闭合”断电模式,从而得以适用于任何dtv、tv、dvr或机顶盒。在这些设备中,关闭状态下的反射信号可能会影响本机图像。器件同样适用于dvr和游戏平台,此时,catv信号必须在断电状态下通过器件。
关于ultracmos技术
ultracmos混合信号工艺技术使用蓝宝石衬底,是绝缘体上覆硅(soi)技术的扩展,受专利保护,可提高收益并降低成本。与首先强调射频性能、低功率和集成的gaas、sige bicmos及bulk cmos等竞争应用工艺相比,此技术具有极大的性能优势。