全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (international rectifier，简称ir) ， 推出最新150v directfet mosfet irf6643pbf，适用于36v至75v通用电信输入及48v固定输入系统等多种运行环境的隔离式dc-dc转换器。新型directfet器件采用ir先进的directfet封装技术及新一代hexfet功率mosfet硅，额定电流可达35a，其散热表现更加卓越且效率更高，而占板面积则只相当于扁平型so-8封装。

ir亚太区高级销售总监曾海邦表示：“ir directfet系列的最新器件通过持续改善影响功率mosfet、rds(on)、qg及qgd性能的关键参数，将传导、开关及反向恢复损耗降至最低。这些改进不仅可保证器件在较高电流电平下工作，同时也保持了单个mosfet的小巧体积。由于电路版的面积减少了50%以上，因此现在一个directfet mosfet可以替代两个或三个so-8封装器件。”

该器件的典型10v rds(on) 非常低，只有29mω。其低电感使器件更加适合大电流同步整流插座。而且，irf6643trpbf的qg低至39nc、qgd低至11nc，因此可作为隔离式或中间dc总线转换器的原边mosfet。irf6643trpbf采用中级尺寸 (mz) directfet封装。有关新器件的详细数据，详见以下网址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。

产品基本规格如下：
器件
编号 封装 bvdss
(v) 10v下最大rds(on) (mohm) 10v下
典型rds(on) (mohm) vgs (v) 25ºc下的id (a) 典型qg (nc) 典型qgd
(nc)
irf6643trpbf
directfet中罐 150 34.5 29 20 35 39 11

ir的directfet mosfet封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优势，并已获得专利保护。其金属罐构造可提供双面冷却功能，将用于驱动先进微型处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理能力有效增加一倍。此外，directfet封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定 (rohs)。有关directfet mosfet封装技术的详情，可浏览directfet.irf.com及discovery.irf.com。

irf6643trpbf directfet mosfet现已开始供货。