安森美半导体为当今最先进的计算、数据存储、连网和消费应用的同步存储器模块推出两款新的时钟分配器件，扩展了高性能 eclinpstm 时钟管理产品系列。新的 nb4n121k 和 nb4n111k 为全面缓冲双列直插内存模块 (fbdimm) 应用提供差分主时钟信令等级 (hcsl) 输出和极低传输延迟变异。

　　安森美半导体标准产品先进逻辑部总监何焘 (dan huettl) 说：“随着系统速度和容量要求持续提高，业内的存储子系统设计正从并行转向串行地址和数据架构。我们的 eclinpstm 系列在低抖动差分信令领域一直领先，因此安森美半导体开发出业内具有最低抖动、最低歪曲率和最宽扇出的 hcsl fbdimm 时钟分配产品。为了提供整个时钟树的时序解决方案，我们将继续扩充 eclinps? 时钟分配和 pureedge? 时钟产生产品系列。这样安森美半导体将不断享誉，持续成为业界的表表者。”

　　器件

　　新的nb4n121k和nb4n111k都是3.3伏 (v) 时钟分配器件，带有差分hcsl 输出，针对100、133、166、200、266、333 和40

0 mhz等典型fbdimm频率应用。这两款器件采用先进的0.25 微米 (μm) cmos 工艺技术制造，性能远超竞争产品——产生仅 0.3 皮秒 (ps) 的相加相位抖动和不足100 ps的输出至输出歪曲率。(每个差分对的最大传输延迟变异δtpd为100 ps。)竞争性器件的典型抖动超过 1 ps时，歪曲率远高于 100 ps。因此，安森美半导体最新的 eclinps? 器件为系统设计人员省下更多的珍贵时序预算。

　　安森美半导体新的时钟分配器件进行了优化的设计、布线和处理，将器件内歪曲率和器件之间歪曲率降到最低。系统设计人员能够利用这种出色性能为其存储器控制器和fbdimm模块分配低歪曲率、低抖动的时钟。两款器件的时钟输入引脚还内部整合了 50 欧姆 (ω) 的片内端接 (odt) ，减少元件数量和简化电路板布线。

　　nb4n121k 是 1 : 21 或 1 : 42 的hcsl时钟分配器件。在 1 : 21 下，该器件提供业内最宽的扇出，能配置成 2x 模式，提供 1 : 42 hcsl 扇出。该器件接受差分低压正射极耦合逻辑 (lvpecl) 、电路模式逻辑 (cml) 或低压差分信令 (lvds) 等级，也能在配以适当的交流参考电源 (vrefac) 下，接受单端 lvpecl、cml、低压互补金属氧化物半导体 (lvcmos) 或 lvttl 等级。在1x负载模式下，iref (引脚1) 的输出驱动电流通过接地来选择。如果配置成2x负载模式，则能够轻易地通过连接iref 到vcc 来完成。

　　nb4n121k 是 1 : 10 hcsl 时钟分配器件，接受差分 lvpecl、cml 或 lvds 输入等级，并能在配以适当的交流参考电源下，接受单端 lvpecl、cml、lvcmos 或 lvttl 等级。

　　封装和价格

　　nb4n121k 采用符合 rohs 指令、52 引脚、裸露焊盘 qfn 封装，每 1,000 片的批量单价为 4 美元。

　　nb4n111k 采用符合 rohs 的32 引脚、裸露焊盘 qfn 封装，每 1,000 片的批量单价为 3.75 美元。