低温二相磊晶成长法
发布时间:2007/8/15 0:00:00 访问次数:465
液相磊晶成长系统的磊晶层成长温度，一般设定在摄氏800度，这是因为GaAs基板上氧化层三氧化二镓需要经过摄氏650度以上的温度处理后，才能分解去除。因此，当成长温度设定在摄700度的时候，称为低温成长。
液相磊晶成长系统的磊晶层成长温度，一般设定在摄氏800度，这是因为GaAs基板上氧化层三氧化二镓需要经过摄氏650度以上的温度处理后，才能分解去除。因此，当成长温度设定在摄700度的时候，称为低温成长。
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