本设计方案描述了上一个方案的改进（参考文献1）。如图1中电路使用普通的spst按键开关s1代替原设计所需的spdt开关。使用隔膜开关极大的简化了设备的工业化设计，并提高了工效。此外，电路通过未激励开关消除电流的方法，从而略微减少了现有模式中的电流消耗。

　　备用模式中，mosfet q1仍然关闭，消耗电池少于1 µa的漏电流。按下开关s1，通过二极管d1将门极拉到地，使q1打开。电压稳压器ic1开启，为微处理器ic2供能。微处理器启动，并将p1.1输出端口置高。打开晶体管q2，锁存系统能量到允许s1断开。与此同时，电阻r3上拉微处理器输入端口p1.2到vcc。按下开关几秒钟，通过二极管d2使p1.2输入下拉，发按键触发事件的信号到固件。完成程序以后，微处理器将输出端口p1.1置低来关闭q2。从而，直到使用者按下s1重启程序时为止，q1使系统掉电。

　　选择器件的时候，确保q1的栅-源极击穿电压超过可能输入的最大电压；否则，使用齐纳击穿二极管来限制为q1供电的栅-源极电压。如果电压稳压器ic1包括一个开/关控制引脚，就可以忽略q1。为了用不同开关电源设备代替q1
，例如npn双极晶体管或继电器，指定q2供给开关设备所需的控制电流。为进一步减少电路器件的数量，用适当的共阴极双二极管阵列替代二极管d1和d2，例如bav70。如果ic2包括内置的上拉电阻，就可以忽略电阻r3，许多现代微处理器都是这样的。