际整流器公司(internationalrectifier，简称ir)推出全新warp2600v非穿透型(npt)igbt，额定电流分50a、35a和20a三种。新器件的关断性能经特别改良，适用於电信和服务器系统中的大电流、高频开关电源电路。

全新warp2非穿透igbt能以高於功率mosfet的性能价格比，提供理想的性能和效率。这些igbt与hexfred二极管组合封装，性能高於功率mosfet中的集成体二极管。新器件采用to-247及to-220封装。

全新warp2igbt以ir的薄晶片技术制成，确保缩短少数载流子耗尽时间，加快关断过程。此外，器件的拖尾电流极短、关断切换损耗(eoff)极低，可让设计人员实现更高工作频率。

warp2igbt凭著更完善的开关性能，配合正温度系数特性和更低栅开通电荷，有效提高电流密度。若以并联模式操作，它们可以像功率mosfet一样发挥极佳的电流均分性能。与功率mosfet不同，它们的通态损耗能保持固定不变。

在to-247封装内，全新igbt能处理高达50a电流，电容量比采用相同封装的ir600vmosfet高出85%；若采用to-220封装，则可处理高达20a电流，电容量比采用相同封装的ir600vmosfet高出18%。