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微波控制开关 (一)

发布时间:2008/5/29 0:00:00 访问次数:931

  本例介绍的微波控制开关是根据多普勒效应进行工作的:由本机振荡电路产生一个固定的高频信号 (一般为400-800mhz),经天线辐射到周围空间,当天线附近一定距离内有物体运动时,高频信号就会被运动物体发射回来再被天线接收,便原振荡电路的振荡频率和信号幅度产生变化,此变化信号经积分、放大、比较等处理后形成控制信号,使控制执行电路动作,达到自动控制的目的。该控制开关可用于对防盗报警器或照明灯的控制。
  电路工作原理
  该微波控制开关电路由本机振荡器、放大器、双限电压比较器和控制执行电路组成,如图3-70所示。


  本机振荡电路由晶体管vl、电感器l、电容器cl、c2、电阻器rl-r3、电位器rpl和天线组成。
  放大器由晶体管v2和电容器c3-c5、电阻器r4、r5组成。
  双限电压比较器电路由运算放大器集成电路ic、电阻器r6-@r8、二极管vdl、vd2和电位器r臣组成。
  控制执行电路由晶体管v3、电阻器r9、电容器c6、二极管vd3和继电器k组成。
  vl在cl的正反馈作用下产生自激振荡,振荡产生的高频电磁波由天线辐射到周围空间,在天线四周产生一个立体的微波场。当有物体在此微波场运动时,物体运动所反射的电磁波就被天线接收,使vl自激振荡的幅度和频率发生变化,此变化经过由r2、c3组成的积分电路变成随物体移动而波动的电压信号,该电压信号经v2放大后,在v2的集电极上产生2.5-6.7v的变化电压 (电压的变化与物体移动的速度及距天线的距离成正比)。此变化的电压经ic比较处理后,产生控制高电平,使v3导通,k吸合,受控电路 (报警器或照明灯等)通电工作。
  调整cl的容量,可以改变自激振荡器的工作频率。
  调整rpl和rp2的阻值,可以改变微波控制开关动作的灵敏度。
  元器件选择
  rl-r9选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。
  rpl和rp2选用有机实心可变电阻器或微型电位器。
  cl选用云母微调电容器或瓷介微调电容器、薄膜微调电容器;c2和c4均选用独石电容器;c3、c5和c6均选用耐压值为16v的铝电解电容器。
  vd1和vd2均选用1n4148型硅开关二极管;vd3选用1n4007型硅整流二极管。
  vl选用sg018或3dggo愧型高频硅npn晶体管;v2选用s9014或3dg9014型硅npn晶体管;v3选用59013或58050、c8050型硅npn晶体管。
  ic选用lm358型集成运算放大器。
  l用φo.51mm的高强度漆包线在φ5mm的圆柱体上绕5匝后脱胎制成空心线圈 (安装时应与cl垂直)。
  k选用4098或4099型12v直流继电器。
  天线选用短波收音机用的金属拉杆天线。



  本例介绍的微波控制开关是根据多普勒效应进行工作的:由本机振荡电路产生一个固定的高频信号 (一般为400-800mhz),经天线辐射到周围空间,当天线附近一定距离内有物体运动时,高频信号就会被运动物体发射回来再被天线接收,便原振荡电路的振荡频率和信号幅度产生变化,此变化信号经积分、放大、比较等处理后形成控制信号,使控制执行电路动作,达到自动控制的目的。该控制开关可用于对防盗报警器或照明灯的控制。
  电路工作原理
  该微波控制开关电路由本机振荡器、放大器、双限电压比较器和控制执行电路组成,如图3-70所示。


  本机振荡电路由晶体管vl、电感器l、电容器cl、c2、电阻器rl-r3、电位器rpl和天线组成。
  放大器由晶体管v2和电容器c3-c5、电阻器r4、r5组成。
  双限电压比较器电路由运算放大器集成电路ic、电阻器r6-@r8、二极管vdl、vd2和电位器r臣组成。
  控制执行电路由晶体管v3、电阻器r9、电容器c6、二极管vd3和继电器k组成。
  vl在cl的正反馈作用下产生自激振荡,振荡产生的高频电磁波由天线辐射到周围空间,在天线四周产生一个立体的微波场。当有物体在此微波场运动时,物体运动所反射的电磁波就被天线接收,使vl自激振荡的幅度和频率发生变化,此变化经过由r2、c3组成的积分电路变成随物体移动而波动的电压信号,该电压信号经v2放大后,在v2的集电极上产生2.5-6.7v的变化电压 (电压的变化与物体移动的速度及距天线的距离成正比)。此变化的电压经ic比较处理后,产生控制高电平,使v3导通,k吸合,受控电路 (报警器或照明灯等)通电工作。
  调整cl的容量,可以改变自激振荡器的工作频率。
  调整rpl和rp2的阻值,可以改变微波控制开关动作的灵敏度。
  元器件选择
  rl-r9选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。
  rpl和rp2选用有机实心可变电阻器或微型电位器。
  cl选用云母微调电容器或瓷介微调电容器、薄膜微调电容器;c2和c4均选用独石电容器;c3、c5和c6均选用耐压值为16v的铝电解电容器。
  vd1和vd2均选用1n4148型硅开关二极管;vd3选用1n4007型硅整流二极管。
  vl选用sg018或3dggo愧型高频硅npn晶体管;v2选用s9014或3dg9014型硅npn晶体管;v3选用59013或58050、c8050型硅npn晶体管。
  ic选用lm358型集成运算放大器。
  l用φo.51mm的高强度漆包线在φ5mm的圆柱体上绕5匝后脱胎制成空心线圈 (安装时应与cl垂直)。
  k选用4098或4099型12v直流继电器。
  天线选用短波收音机用的金属拉杆天线。



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