Fairchild新款MicroFET功率开关可降低便携式应用热阻

发布时间:2008/5/29 0:00:00 访问次数:361

　　飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66%的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术，封装为2.0mm×1.6mm sc-75，较3×3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65%和20%。

　　这些2.0mm×1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm×3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。

　　fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括：

节省空间，因为这些microfet开关较采用sc-70封装的功率开关体积减小20%

确保在低至1.5v栅极驱动电压下运作，能够满足便携式应用的电压要求

出色的电气性能和热性能：rds(on)160mω @ vgs = -2.5v；热阻89℃/w

　　这些易于实现及节省空间的高性能mosfet适用于客户所有低电压开关和功率管理/电池充电设备中。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用无铅(pb-free)端子，潮湿敏感度符合ipc/jedec j-std-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令(rohs)的要求。

　　现提供样品，收到订单后12周内交货。

　　fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括：

节省空间，因为这些microfet开关较采用sc-70封装的功率开关体积减小20%

确保在低至1.5v栅极驱动电压下运作，能够满足便携式应用的电压要求

出色的电气性能和热性能：rds(on)160mω @ vgs = -2.5v；热阻89℃/w

　　现提供样品，收到订单后12周内交货。

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