Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ
发布时间:2008/5/29 0:00:00 访问次数:434
vishay公司推出五款新型p通道负载开关，这些是业界首款能够以1.5v栅极驱动电压提供低导通电阻值的器件，而且导通电阻(rds)低至45mω。凭借低阈值电压以及确保可在1.5v栅极驱动电压下运行的规范，这些新型器件使设计人员无需使用电平转换电路，并且最大程度地实现了电池供电系统中低工作电压的省电优势。
这五款功率mosfet中的两款采用little foot tsop-6封装的器件，它们分别具有20v (si3495dv)和-8v(si3499dv)漏极到源极击穿电压，在栅极驱动电压为1.5v时，导通电阻分别为47mω和45mω。
另外三款器件是-8v的si8419db、si5499dc和si1499dh，它们分别采用micro foot、1206-8 chipfet和sc-70 封装。如同新型little foot器件一样，这三款器件的额定栅极电压均为1.5v，这些器件有助于缩小占位面积，可实现更灵活的终端系统设计。
上述p通道负载开关的样品和量产批量生产均可提供，大宗订单的供货周期为12周。100,000片订购，美国发运的起始单价为25美分(仅供参考)。
vishay公司推出五款新型p通道负载开关，这些是业界首款能够以1.5v栅极驱动电压提供低导通电阻值的器件，而且导通电阻(rds)低至45mω。凭借低阈值电压以及确保可在1.5v栅极驱动电压下运行的规范，这些新型器件使设计人员无需使用电平转换电路，并且最大程度地实现了电池供电系统中低工作电压的省电优势。
这五款功率mosfet中的两款采用little foot tsop-6封装的器件，它们分别具有20v (si3495dv)和-8v(si3499dv)漏极到源极击穿电压，在栅极驱动电压为1.5v时，导通电阻分别为47mω和45mω。
另外三款器件是-8v的si8419db、si5499dc和si1499dh，它们分别采用micro foot、1206-8 chipfet和sc-70 封装。如同新型little foot器件一样，这三款器件的额定栅极电压均为1.5v，这些器件有助于缩小占位面积，可实现更灵活的终端系统设计。
上述p通道负载开关的样品和量产批量生产均可提供，大宗订单的供货周期为12周。100,000片订购，美国发运的起始单价为25美分(仅供参考)。
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