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飞兆半导体推出降低便携式应用热阻的功率开关

发布时间:2008/5/29 0:00:00 访问次数:414

  飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其他解决方案降低75%的rds(on)和降低66%的热阻。 fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术,封装为2.0mm×1.6mm sc-75,较3×3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65%和20%。

  这些2.0mm ×1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能,它们的性能与3mm×3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等,在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要,因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。

fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括:

  ◆节省空间,因为这些microfet开关较采用sc-70封装的功率开关体积减小20%
  ◆确保在低至1.5v栅极驱动电压下运作,能够满足便携式应用的电压要求
  ◆出色的电气性能和热性能
  ◆rds(on)160mω@vgs=-2.5v
  ◆热阻89℃/w

  fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用无铅(pb-free)端子,潮湿敏感度符合ipc/jedec j-std-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令 (rohs) 的要求。

  供货:现提供样品
  交货期:收到订单后12周内


  飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其他解决方案降低75%的rds(on)和降低66%的热阻。 fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术,封装为2.0mm×1.6mm sc-75,较3×3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65%和20%。

  这些2.0mm ×1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能,它们的性能与3mm×3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等,在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要,因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。

fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括:

  ◆节省空间,因为这些microfet开关较采用sc-70封装的功率开关体积减小20%
  ◆确保在低至1.5v栅极驱动电压下运作,能够满足便携式应用的电压要求
  ◆出色的电气性能和热性能
  ◆rds(on)160mω@vgs=-2.5v
  ◆热阻89℃/w

  fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用无铅(pb-free)端子,潮湿敏感度符合ipc/jedec j-std-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令 (rohs) 的要求。

  供货:现提供样品
  交货期:收到订单后12周内


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