IR推出20V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组
发布时间:2008/5/29 0:00:00 访问次数:357
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国际整流器公司(internationalrectifier，简称ir)推出新款20vdirectfetmosfet同步降转换器芯片组——irf6610和irf6636。ir表示，这款小型罐式directfetmosfet对性能相当于一对so-8mosfet，但体积却减少了40%，最适用于对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(point-of-load，简称pol)设计。
ir台湾分公司总经理朱文义表示：“在12v计算机运算系统中，irf6610和irf6636芯片组最适用于可支持5v至1v以下输出电压的高密度15apol转换器。以一个500khzpol转换器为例，若采用这款芯片组，便能在1.5v下提供15a输出电流，实现大于88%的效率。”
irf6610的闸电荷(gatecharge)低至10nc，可将开关损耗减至最低，实现最佳控制场效应管(fet)功能。irf6636则是一款多功能的directfet功率mosfet，其导通电阻为4.5mω，闸电荷低至18nc。它可耦合irf6610，成为专门针对15a应用的同步场效应管；又可配合irf6691组成控制场效应管，适用于每相位35a的多相位应用。irf6636/irf6691芯片能在pol模块等应用中提供更高密度，取代多达4个热强化型so-8mosfet器件。
该公司表示，ir的专利directfetmosfet封装包含了一系列新的设计优点，这是目前标准的塑料分立封装所不具备的。其中，金属罐状结构可提供双面冷却，将驱动先进微处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理能力提高1倍。此外，directfet封装内的器件均符合“电子产品有害物质限制指令”(rohs)。
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国际整流器公司(internationalrectifier，简称ir)推出新款20vdirectfetmosfet同步降转换器芯片组——irf6610和irf6636。ir表示，这款小型罐式directfetmosfet对性能相当于一对so-8mosfet，但体积却减少了40%，最适用于对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(point-of-load，简称pol)设计。
ir台湾分公司总经理朱文义表示：“在12v计算机运算系统中，irf6610和irf6636芯片组最适用于可支持5v至1v以下输出电压的高密度15apol转换器。以一个500khzpol转换器为例，若采用这款芯片组，便能在1.5v下提供15a输出电流，实现大于88%的效率。”
irf6610的闸电荷(gatecharge)低至10nc，可将开关损耗减至最低，实现最佳控制场效应管(fet)功能。irf6636则是一款多功能的directfet功率mosfet，其导通电阻为4.5mω，闸电荷低至18nc。它可耦合irf6610，成为专门针对15a应用的同步场效应管；又可配合irf6691组成控制场效应管，适用于每相位35a的多相位应用。irf6636/irf6691芯片能在pol模块等应用中提供更高密度，取代多达4个热强化型so-8mosfet器件。
该公司表示，ir的专利directfetmosfet封装包含了一系列新的设计优点，这是目前标准的塑料分立封装所不具备的。其中，金属罐状结构可提供双面冷却，将驱动先进微处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理能力提高1倍。此外，directfet封装内的器件均符合“电子产品有害物质限制指令”(rohs)。
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