CMOS直流噪声容限
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:987
cmos倒相器可采用的两种直流噪声容限，根据两种直流噪声容限定义和cmos倒相器电路性能分析，cmos倒相器可采用最大噪容作为其直流噪声容限；给出了最大噪容的要求，即要求最大高电平噪容与最大低电平噪容相等，因此，要求p管归一化阈电压与n管归一化阈电压相等，且p管与n管的k因子之比为1。对归一化阈电压不等情况，可调整k因子之比使最大高电平噪容与最大低电平噪容相等；对k因子之比不为1的情况，可调整归一化阈电压，以得到最大噪声容限。
cmos倒相器可采用的两种直流噪声容限，根据两种直流噪声容限定义和cmos倒相器电路性能分析，cmos倒相器可采用最大噪容作为其直流噪声容限；给出了最大噪容的要求，即要求最大高电平噪容与最大低电平噪容相等，因此，要求p管归一化阈电压与n管归一化阈电压相等，且p管与n管的k因子之比为1。对归一化阈电压不等情况，可调整k因子之比使最大高电平噪容与最大低电平噪容相等；对k因子之比不为1的情况，可调整归一化阈电压，以得到最大噪声容限。
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