本例介绍一种输出波近似正弦波的逆变电源，其输出功率为40w;可用于感性负载。
　　电路工作原理
　　该逆变电源电路由高频振荡器、分频器、缓冲器和功率输出电路组成，如图5-149所

　　高频振荡器电路由非门集成电路ic1内部的非门电路d1~d4和电阻器r0、r1、电容器c1等组成。
　　分频器由移位寄存器集成电路ic2、ic3、电阻器r3~r21、电容器c2、c3、稳压二极管vs和ic1内部的非门d5等组成。
　　缓冲器由电阻器r22~r55和晶体管v1、v2组成。
　　功率输出电路由大功率场效应晶体管vf1、vf2和变压器t组成。
　　接通开关s后，+12v电源分为3路:一路直接为v1、v2供电;一路经t的一次绕组为vf1、vf2供电;另一路经r26限流、ic稳压、r24降压及vs二次稳压后，产生+6v电压，供给ic1~ic3。
　　高频振荡器振荡工作后产生的800hz时序脉冲信号经ic2和1c3内部分频处理后，在a、b两点产生两个频率 (5ohz)相同、相位相反的准正弦波 (阶梯波)信号。该信号经v1和v2缓冲整形后，再经vf1、vf2功率放大及变压器t升压后，在t的二次绕组两端产生交流220v电压。
　　元器件选择
　　ro~r1o、r12~r21均选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器;r1和r22~r25均选用1w金属膜电阻器;r26选用1/2w金属膜电阻器。
　　c1选用高频瓷介电容器;c2~c4选用耐压值为16v的铝电解电容器。
　　vs选用1w、6v硅稳压二极管。
　　v1和v2选用c8050或s8050型硅npn晶体管。
　　vf1和vf2均选用irf64o型大功率场效应晶体管。 　　　 ic1选用cd4069型六非门集成电路;ic2和1c3均选用cd4015型双四位静态移位寄存器集成电路。
　　t选用45w、双12v的电源变压器。