飞思卡尔半导体日前凭借第七代高压(hv7)射频ldmos技术，成功地取得了在3.5ghz频段运行的符合wimax基站所需的射频功率放大器性能。通过提供采用射频ldmos和gaasphemt技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够支持高功率无线基础设施应用，其中ldmos的性能高达3.8ghz，而gaasphemt的性能则高达6ghz。

　　首批3.5ghzldmos设备的样品mrf7s38075h现已问世。它是一个75瓦特的p1db射频晶体管，平均功率为42dbm(16w)，满足在3.5ghz频段运行的wimax设备的性能要求。此外，40w和10w的p1db3.5ghz设备也将于近期面市。

　　这三款射频ldmos设备扩大了飞思卡尔现有的射频功率晶体管系列的产品阵容。同时，hv7ldmos设备完善了12vgaasphemt设备的功能，使其能够适应3.5ghz的wimax应用。而目前正在开发的新型高压gaas设备将在达6ghz的频段运行，当运行电压达到20v以上，gaas设备能够达到达100w的输出功率，同时还能满足数字调制系统的严格要求。

　　据市场研究机构isuppli公司估计，2006年全球wimax的市场份额约为10亿美元，而2009年将达到20亿美元。而中国的wimax市场将于2006年开始启动，2010年中国的wimax用户数有望达到300万户。