afm可以测量表面形貌、3d尺寸和几何形状，水平表面轮廓和垂直侧壁形状轮廓。测量区域可以在很小(<50μm)或很长(<10cm)的范围内。采用小比例afm模式，可测量的变量有高度或深度、线宽、线宽变化、线边缘粗糙度、间距、侧壁角度、侧壁粗糙度、横截面轮廓、和表面粗糙度。在长范围(profiler模式)，afm用于cmp工艺总体表面形貌轮廓的测量。

　　afm测量的优点

　　除afm以外，cdsem、横截面sem(x-sem),tem、dualbeam、光学散射测量、光学轮廓仪和探针轮廓仪均为已有的表征和监控工艺尺寸的测量方法。通常认为最值得信任的3d尺寸分析方法应该是x-sem或tem，但是x-sem或tem的主要障碍是样品制备、机台操作、时间以及费用。x-sem和tem会破坏硅片，并且只能一次性的切入特征区域。tem不能在光刻胶上工作。cdsem会导致光刻胶吸收电荷、收缩、甚至损伤光刻胶，cdsem几乎无法提供3d形状信息。光学散射测量具有快速和准确的特点，但是只能在特殊设计的结构上工作，并且无法提供ler和lwr数据。为特定的薄膜结构发展一套可靠的散射测量数据库通常是非常困难并且耗时的。空间分辨率和光斑尺寸会限制x射线、光学厚度、或形貌测定仪器的应用。

　　由于afm的独特特性，使得它与其它测量技术相比具有更明显的优势。afm可以在非真空环境中工作。它是一种表面力感应的显微镜，所以它可以提供非破坏性的，直接的3d测量，胜于模拟、模型、或者推断。afm可以快速的检查横截面轮廓或表面形貌，以便检测出尺寸是否在规格内，而不需像tem一样破坏制品。afm没有光斑尺寸限制，并且在cmp平坦化应用方面，它比光学或探针轮廓仪具有更高的分辨率。

　　afm可以在线测量当今纳米电子工业中的任何材料样品，不管其薄膜层结构、光学特性或是组成。afm对于最新的先进工艺和材料集成中涌现出来的新材料(sige、高k、金属栅和低k)并不敏感。电路图案的逼真度和尺寸取决于其附近的环境。然而，afm测量与特征接近度或图形密度效应之间没有偏差，这些都是itrs2005测量部分所列出的重要要求。因此，afm在世界半导体工业赢得了广泛应用，并且其在130纳米及更小尺寸中的应用正在增加。