飞思卡尔宣布推出业内第一款封装在超模压塑料封装内、性能堪与气腔封装媲美的2 ghz大功率rf晶体管。这些先进的设备基于飞思卡尔的高压第七代（hv7）rf外侧扩散金属氧化物半导体(ldmos) 技术。这种先进的技术旨在帮助无线基础设施的设计人员极大地降低无线系统中最昂贵的元件-基站放大器的成本，同时达到严格的性能要求。

　　飞思卡尔的旗舰型hv7设备是在to-270 wbl-4封装内提供的mrf7s19120n。该设备能够提供最低120 w p1db和36 w的平均功率，一般性能有望达到18 db的增益，在par=6.1db时能够达到32%的效率和-37.5 dbc的线性（用ccdf上的par=7.5db @ 0.01百分比概率的单载波w-cdma信号进行测试）。相应的2.1ghz产品系列计划于2006年第三季度推出。

　　mrf7s19120n可在1.9 ghz的频率上提供相当性能的第一款晶体管，最低输出功率为120 w cw。与同类气腔封装产品相比，它所实现的性能在每个电力参数上都毫不逊色。

　　与采用气腔封装的同类设备相比，超模压塑料封装设备能在每单元基础上实现更低的成本，从而为放大器制造商带来极大的成本优势。此外，超模压塑料设备还可以实现更高效的自动化装配，从而简化客户的制造过程，进一步实现成本的节约。