IR小型120W六通道半桥D类音频功率放大器
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:418
集成了irs20124s高压集成电路的参考设计具有内部可选死区时间发生电路,可以防止噪声和电源电压波动,有助于在60w、4ω的情况下实现0.01%的总谐波失真(thd),而在120w、4ω单通道可实现94%的效率。此外,该集成电路还内置了双电流感测和集成的关断功能,在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。
iraudamp3的占板面积为4.5平方英寸,也采用了irf6645 directfet 功率mosfet。创新的directfet封装技术通过降低引线电感提高了开关性能,并降低了emi噪声,从而提高了d类音频放大器电路的性能。其较高的热性能有助于实现4ω阻抗下的120w运行,而无需使用散热器,这样不仅缩小了电路尺寸,还为设计师作电路布局提供了更大的灵活性,降低了放大器系统的总体成本。
集成了irs20124s高压集成电路的参考设计具有内部可选死区时间发生电路,可以防止噪声和电源电压波动,有助于在60w、4ω的情况下实现0.01%的总谐波失真(thd),而在120w、4ω单通道可实现94%的效率。此外,该集成电路还内置了双电流感测和集成的关断功能,在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。
iraudamp3的占板面积为4.5平方英寸,也采用了irf6645 directfet 功率mosfet。创新的directfet封装技术通过降低引线电感提高了开关性能,并降低了emi噪声,从而提高了d类音频放大器电路的性能。其较高的热性能有助于实现4ω阻抗下的120w运行,而无需使用散热器,这样不仅缩小了电路尺寸,还为设计师作电路布局提供了更大的灵活性,降低了放大器系统的总体成本。