NTP90N02的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:265
产品型号:ntp90n02
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):7.5@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):90
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220ab/-55~150
描述:3.1a/-2.1a,20v n沟道和p沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥8.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):7.5@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):90
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220ab/-55~150
描述:3.1a/-2.1a,20v n沟道和p沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥8.00
产品型号:ntp90n02
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):7.5@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):90
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220ab/-55~150
描述:3.1a/-2.1a,20v n沟道和p沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥8.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):7.5@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):90
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220ab/-55~150
描述:3.1a/-2.1a,20v n沟道和p沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥8.00
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