NTQD6866R2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:265
产品型号:ntqd6866r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30
最大漏极电流id(on)(a):6.900
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150
描述:6.9 a, 20 v功率mosfet
价格/1片(套):￥5.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30
最大漏极电流id(on)(a):6.900
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150
描述:6.9 a, 20 v功率mosfet
价格/1片(套):￥5.00
产品型号:ntqd6866r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30
最大漏极电流id(on)(a):6.900
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150
描述:6.9 a, 20 v功率mosfet
价格/1片(套):￥5.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30
最大漏极电流id(on)(a):6.900
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150
描述:6.9 a, 20 v功率mosfet
价格/1片(套):￥5.00
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