正确的电路布板降低开关模式转换器的EMI
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:788
当今几乎所有的电子系统中都用到了开关模式dc-dc转换器,该器件功率转换效率较高,得到了普遍应用。然而,它也有噪声大和不稳定的缺点,很难通过emi认证。这些问题大部分源自元件布局(不包括元件质量差的情况)和电路板布板。一个完美的专业设计可能会因为电路板的寄生效应而遭到淘汰。良好的布板不但有助于通过emi认证,还可以帮助实现正确的功能。为理解这一问题,需要回顾emi规范,确定一个典型dc-dc转换器的潜在emi来源。我们选择降压转换器作为一个例子(可直接应用于升压转换器,也可以方便的应用于其他结构)。本文给出dc-dc转换器的基本布板指南,以及一个实际例子。
emi规范描述了频域通过测试/失效模板,分为两个频率范围。在150khz至30mhz低频段,测量线路的交流传导电流。在30mhz至1ghz高频段,测量辐射电磁场。电路节点电压产生电场,而磁场由电流产生。存在问题最大的是阶跃波(例如,方波),产生的谐波能够达到很高频率。 为了确定emi辐射源,我们先研究图1a中降压转换器1的原理图。开关电源工作时,晶体管q1和q2作为开关,而不是工作在线性模式。晶体管的电流和电压均类似于方波,但是相位不一致,以降低功耗。 图1a. 在该降压转换器原理图中,互补驱动信号控制开关晶体管q1和q2,使其工作在开关状态下,以达到较高的效率。 在图1b中,开关节点电压vlx以及晶体管电流i1和i2为方波,具有高频分量。电感电流i3是三角波,也是可能的噪声源。这些波形能够实现较高的效率,但是从emi的角度看,却存在很大问题。 图1b. 降压转换器的电流和电压波形。开关晶体管电流i1和和i2,以及开关节点电压vlx接近方波,是可能的emi辐射源。 一个理想的转换器不会产生外部电磁场,只在输入端吸收直流电流。开关动作限制在转换器模块内部。电路设计人员和布板工程师应负责保证达到这一目标: lx节点产生电场辐射,所有其他节点的电压保持不变。缩小节点面积,并在邻近设置地平面可以直接限制该电场(电场会被该平面吸收)。但是也不能太近,否则会增加杂散电容,降低效率,导致lx电压振铃。节点太小产生串联阻抗,也应避免这种情况。 i1到i3产生磁场辐射。每一电流环路pcb布板的杂散电感决定了场强。电路环路之间的非金属区域应尽可能的小,而走线宽度应尽可能大,以达到最低磁场强度。电感(l)本身应有良好的磁场限制能力,这由电感结构决定,而不取决于pcb布板问题。 传导emi是导致失败的主要原因。电容cin和cout无法为开关电流i1和i3提供低阻时,将产生该问题。这些电流流至上游和下游电路。阻抗包括电容本身(含杂散电容)以及pcb的杂散阻抗。pcb杂散电感决定了阻抗,应尽量减小该电感,这同时也降低了磁场辐射。开关转换器内部应避免出现过孔,这是因为过孔的感应系数较大。可以在顶层/元件层为电源的快速电流建立局部平面来解决这一问题。smt元件可直接连接在这些平面上。通路必须宽而且短以降低电感。过孔用于连接本地平面和电源以外的系统平面。其杂散电感有助于将快速电流限制在顶层。可以在电感周围加入过孔,降低其阻抗效应。产生传导emi的另一原因来自地平面,快速开关电流引起电压尖峰。开关电流必须与外部电路共用任一通路,包括地平面。其解决方法还是在转换器边界内部的顶层设置一个局部电源地平面,在一点连接至系统地平面,这一点通常是在输出电容处。 其他元件包括控制器ic、偏置和反馈/补偿元件等,这些都是低电平信号源。为避免串扰,这些元件应与功率元件分开放置,以控制器ic隔断它们。一种方法是将功率元件放置在控制器的一侧,低电平信号元件放置在另一侧。控制器ic的门驱动输出以开关频率吸收和源出大电流尖峰,应减小ic和开关晶体管之间的距离。反馈和补偿引脚等大阻抗节点应尽量小,与功率元件保持较远的距离,特别是在开关节点lx上。直流-直流控制器ic一般具有两个地引脚gnd和pgnd。方法是将低电平信号地与电源地分离。当然,还要为低电平信号设置另一模拟地平面,不用设在顶层,可以使用过孔。模拟地和电源地应只在一点连接,一般是在pgnd引脚。在极端情况(大电流)下,可以采用一个纯单点地,在输出电容处连接局部地、电源地和系统地平面。 以下布板指南总结了上面的讨论(较好的数据手册中也会有相似的pcb指南): 1. 功率元件布局布线。开始先放置开关晶体管q1和q2、电感l和输入输出电容cin和cout。这些元件尽可能的靠近放置,特别是q2、cin和cout的地连接,以及cin和q1的连接。然后,为电源地、输入、输出和lx节点设置
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