Elpida推出一款节能型1.8V、256Mb SDRAM
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:523
elpida存储器公司为需要低功率和高密度的电池供电产品推出一款256mb sdram,工作电压为1.8v和2.5v。
这款256mb sdram的器件号为eds2532eebh和eds2532jebh,支持x32-位配置,小型封闭即可达到高速性能,缩小了电路板面积,它们采用8m×32位配置形式,工作频率高达166mhz。这些器件采用高级0.10微米处理工艺技术,fbga封装,或采用裸片形式用于封装内系统(sip)或多芯片封装(mcp)设计。
eds2532eebh采用90引脚fbga封装,工作电压为1.8v,样品售价每片12美元(仅供参考),eds2532jebh工作电压为2.5v,样品每片售价10美元(仅供参考)。
这款256mb sdram的器件号为eds2532eebh和eds2532jebh,支持x32-位配置,小型封闭即可达到高速性能,缩小了电路板面积,它们采用8m×32位配置形式,工作频率高达166mhz。这些器件采用高级0.10微米处理工艺技术,fbga封装,或采用裸片形式用于封装内系统(sip)或多芯片封装(mcp)设计。
eds2532eebh采用90引脚fbga封装,工作电压为1.8v,样品售价每片12美元(仅供参考),eds2532jebh工作电压为2.5v,样品每片售价10美元(仅供参考)。
elpida存储器公司为需要低功率和高密度的电池供电产品推出一款256mb sdram,工作电压为1.8v和2.5v。
这款256mb sdram的器件号为eds2532eebh和eds2532jebh,支持x32-位配置,小型封闭即可达到高速性能,缩小了电路板面积,它们采用8m×32位配置形式,工作频率高达166mhz。这些器件采用高级0.10微米处理工艺技术,fbga封装,或采用裸片形式用于封装内系统(sip)或多芯片封装(mcp)设计。
eds2532eebh采用90引脚fbga封装,工作电压为1.8v,样品售价每片12美元(仅供参考),eds2532jebh工作电压为2.5v,样品每片售价10美元(仅供参考)。
这款256mb sdram的器件号为eds2532eebh和eds2532jebh,支持x32-位配置,小型封闭即可达到高速性能,缩小了电路板面积,它们采用8m×32位配置形式,工作频率高达166mhz。这些器件采用高级0.10微米处理工艺技术,fbga封装,或采用裸片形式用于封装内系统(sip)或多芯片封装(mcp)设计。
eds2532eebh采用90引脚fbga封装,工作电压为1.8v,样品售价每片12美元(仅供参考),eds2532jebh工作电压为2.5v,样品每片售价10美元(仅供参考)。