IR 2通道120W D类音频放大器参考设计IRAUDAMP...
发布时间:2008/5/27 0:00:00 访问次数:635
新参考设计基于的irs20955(s)(tr)pbf音频驱动ic设计,具有特别为d类音频放大器应用设计的浮动pwm输入。其双向电流检测可在无需外置分流电阻的情况下,在正及负的负载电流条件下监测过流状况。内置的保护控制模块可提供针对过流条件的安全保护程序和可编程复位定时器。内置死区时间生成模块则有助于精确的栅极开关,最佳死区时间设置可提供更佳的音频性能,例如较低的总谐波失真 (thd) ,以及较低的音频背景噪声。
配合新参考设计使用的irf6645功率mosfet,为ir directfet系列的成员。创新的directfet封装技术通过减少引线电感提升了开关性能,并降低了emi噪声,从而增强了d类音频放大器电路的性能。其较高的热效率有助于实现在4ω阻抗下的120w 运行,加上无需使用散热器,所以不仅能缩小电路尺寸,更可在线路布局方面提供更大的灵活性,同时降低整个放大器系统成本。
新参考设计基于的irs20955(s)(tr)pbf音频驱动ic设计,具有特别为d类音频放大器应用设计的浮动pwm输入。其双向电流检测可在无需外置分流电阻的情况下,在正及负的负载电流条件下监测过流状况。内置的保护控制模块可提供针对过流条件的安全保护程序和可编程复位定时器。内置死区时间生成模块则有助于精确的栅极开关,最佳死区时间设置可提供更佳的音频性能,例如较低的总谐波失真 (thd) ,以及较低的音频背景噪声。
配合新参考设计使用的irf6645功率mosfet,为ir directfet系列的成员。创新的directfet封装技术通过减少引线电感提升了开关性能,并降低了emi噪声,从而增强了d类音频放大器电路的性能。其较高的热效率有助于实现在4ω阻抗下的120w 运行,加上无需使用散热器,所以不仅能缩小电路尺寸,更可在线路布局方面提供更大的灵活性,同时降低整个放大器系统成本。