安森美半导体全新PNP与NPN器件针对便携式电子应用
发布时间:2008/5/27 0:00:00 访问次数:405
电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(on semiconductor)推出采用先进硅技术的pnp与npn器件，丰富了其低vce(sat)双极结晶体管(bjt)产品系列。这两种新型晶体管与传统的bjt或平面mosfet相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低vce(sat) bjt包括wdfn、sot-23、sot-223、sot-563、chipfet及sc-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。
安森美半导体最新推出的nssxxx低vce(sat)表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1a时，该器件可提供45mv的超低饱和电压及300倍的电流增益。这种低vce(sat) bjt还提供超过8kv的较高的静电放电(esd)容差，因此能在突发浪涌情况下自我保护，避免受损。由于实现了良好的电气性能及较低的温度系数，因此这种器件可提高能效，在无需额外esd保护电路就能实现更好的电池节能。相对于mosfet而言，这种器件比较适中的开关速度降低了噪声谐波，因此更适于需要控制电磁干扰(emi)的应用。
电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(on semiconductor)推出采用先进硅技术的pnp与npn器件，丰富了其低vce(sat)双极结晶体管(bjt)产品系列。这两种新型晶体管与传统的bjt或平面mosfet相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低vce(sat) bjt包括wdfn、sot-23、sot-223、sot-563、chipfet及sc-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。
安森美半导体最新推出的nssxxx低vce(sat)表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1a时，该器件可提供45mv的超低饱和电压及300倍的电流增益。这种低vce(sat) bjt还提供超过8kv的较高的静电放电(esd)容差，因此能在突发浪涌情况下自我保护，避免受损。由于实现了良好的电气性能及较低的温度系数，因此这种器件可提高能效，在无需额外esd保护电路就能实现更好的电池节能。相对于mosfet而言，这种器件比较适中的开关速度降低了噪声谐波，因此更适于需要控制电磁干扰(emi)的应用。
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