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声、光双控延时照明灯电路(三)

发布时间:2008/5/27 0:00:00 访问次数:1137

本例介绍的声、光双控延时照明灯,具有灵敏度高、抗干扰性能好等特点,可用于楼道、走廊的夜间照明。

电路工作原理

该声、光双控延时照明灯电路由声控电路、光控电路、延时控制电路和电源电路组成.

电路中,电源电路由熔断器fu、电阻器r10、r11、二极管v d2、vd3、电容器c5、c7一c9、稳压二极管vs和电子滤波管v3组成;声控电路由传声器bm、电阻器r1一r5、电容器c1一c3、晶体管vi和与非门集成电路ic(d1、d2)内部的d1组成;光控电路由光敏电阻器rg、电阻器r6和与非门d1组成;延时控制电路由二极管vd1、与非门集成电路ic的d2电阻器r7一r9、电容器c4、c6、晶体管v2和晶闸管vt组成。

交流220v电压经c9降压、vd2和vd3整流及vs稳压后产生7. 5 v直流电压,通过由v3、r10和c9组成的电子滤波器滤波后供给声、光控制电路和延时控制电路。

白天,rg受光照射而呈低阻状态,使d1的一个输人端(ic的2脚).为低电平,d1锁定输出高电平,声控电路不起作用,vd1截止,d2输出低电平,v2和vt截止,照明灯el不亮。

夜晚,rg无光照射而变为高阻状态,ic的2脚变为高电平,此时若bm接收到声音信号(例如脚步声、咳嗽声等),则bm会将该声音信号转换为微弱的电信号,再经v1对该电信号进行放大,使ic的1脚也变为高电平,di将输出低电平,使vdi导通,c4迅速充电,d2输出高电平,v2导通,其发射极输出的高电平使vt受触发而导通,el通电点亮。_声音信号消失后,di恢复输出高电平,c4经r7缓慢放电,约50s左右, c4放电结束,d2输出低电平,v2和vt截止,el熄灭。

改变r4的阻值,可调节声控的灵敏度。改变r6的阻值,可调节光控的灵敏度。

元器件选择

r1一r10均选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电阻器;r11选用1/2w金属膜电阻器。

rg选用m g45系列光敏电阻器。

c1、c4、c5、c7和c8均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c2选用高频瓷介电容器或云母电容器;c3和c6选用涤纶电容器或独石电容器;c9选用耐压值为400v以上的cbb电容器。

vd1选用1 n4148型硅开关二极管;v d2和vd3均选用1 n4007型硅整流二极管。

vs选用1w、7.5v硅稳压二极管。

v1选用s9014或c9014型硅npn晶体管(其电流放大倍数应大于300);v2选用59013或c9013型硅npn晶体管;v3选用c8050或是s8050型硅npn晶体管。

vt选用tlc336a型双向晶闸管。

ic选用cd4011或cc4011、mc14011型四与非门集成电路(其未使用的两个与非门的输人端应接电源正极或接地)。bm选用微型高灵敏度驻极体传声器。

本例介绍的声、光双控延时照明灯,具有灵敏度高、抗干扰性能好等特点,可用于楼道、走廊的夜间照明。

电路工作原理

该声、光双控延时照明灯电路由声控电路、光控电路、延时控制电路和电源电路组成.

电路中,电源电路由熔断器fu、电阻器r10、r11、二极管v d2、vd3、电容器c5、c7一c9、稳压二极管vs和电子滤波管v3组成;声控电路由传声器bm、电阻器r1一r5、电容器c1一c3、晶体管vi和与非门集成电路ic(d1、d2)内部的d1组成;光控电路由光敏电阻器rg、电阻器r6和与非门d1组成;延时控制电路由二极管vd1、与非门集成电路ic的d2电阻器r7一r9、电容器c4、c6、晶体管v2和晶闸管vt组成。

交流220v电压经c9降压、vd2和vd3整流及vs稳压后产生7. 5 v直流电压,通过由v3、r10和c9组成的电子滤波器滤波后供给声、光控制电路和延时控制电路。

白天,rg受光照射而呈低阻状态,使d1的一个输人端(ic的2脚).为低电平,d1锁定输出高电平,声控电路不起作用,vd1截止,d2输出低电平,v2和vt截止,照明灯el不亮。

夜晚,rg无光照射而变为高阻状态,ic的2脚变为高电平,此时若bm接收到声音信号(例如脚步声、咳嗽声等),则bm会将该声音信号转换为微弱的电信号,再经v1对该电信号进行放大,使ic的1脚也变为高电平,di将输出低电平,使vdi导通,c4迅速充电,d2输出高电平,v2导通,其发射极输出的高电平使vt受触发而导通,el通电点亮。_声音信号消失后,di恢复输出高电平,c4经r7缓慢放电,约50s左右, c4放电结束,d2输出低电平,v2和vt截止,el熄灭。

改变r4的阻值,可调节声控的灵敏度。改变r6的阻值,可调节光控的灵敏度。

元器件选择

r1一r10均选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电阻器;r11选用1/2w金属膜电阻器。

rg选用m g45系列光敏电阻器。

c1、c4、c5、c7和c8均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c2选用高频瓷介电容器或云母电容器;c3和c6选用涤纶电容器或独石电容器;c9选用耐压值为400v以上的cbb电容器。

vd1选用1 n4148型硅开关二极管;v d2和vd3均选用1 n4007型硅整流二极管。

vs选用1w、7.5v硅稳压二极管。

v1选用s9014或c9014型硅npn晶体管(其电流放大倍数应大于300);v2选用59013或c9013型硅npn晶体管;v3选用c8050或是s8050型硅npn晶体管。

vt选用tlc336a型双向晶闸管。

ic选用cd4011或cc4011、mc14011型四与非门集成电路(其未使用的两个与非门的输人端应接电源正极或接地)。bm选用微型高灵敏度驻极体传声器。

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