InnoGaN 650V GaN芯片实现功率转换，其中，PFC慢桥臂采用2颗INN650TA030AH，其采用Toll封装、导通电阻为30mΩ；PFC快桥臂采用2颗INN650TA070AH，其同样采用Toll封装，导通电阻为70mΩ；LLC桥臂采用4颗INN650D080BS，其采用DFN8*8封装，导通电阻为80mΩ。

与Si MOS相比，Innoscience产品具备低Qg、低Co（tr）以及无反向恢复损耗Qrr等特性。

通过效率测试，在输入电压230Vac/264Vac的条件下，本方案的最高效率可达到96.5%，能轻松满足80 Plus钛金级能效标准，进一步为数据中心提供高效电源。

两款面向电动车充电应用的全新参考设计。300W和600W恒流/恒压（CC/CV）电池充电器采用 Transphorm的70毫欧和150毫欧SuperGaN器件，以极具竞争力的成本实现高效的AC-DC功率转换和高功率密度。这两款参考设计旨在帮助两轮和三轮电动车充电器快速实现量产。

这两款参考设计还可用于各种其它应用，包括快充、LED可调光驱动器、游戏机和高性能笔记本电脑。

如果将天线单纯地小型化，寄生元件与接地之间的电磁场耦合会变强，因此，与馈电天线之间的耦合就会相对变弱。

通过让寄生元件与馈电天线进行强电磁耦合，可以增加寄生元件的天线共振，实现天线高效化。

抑制因天线电缆较长而导致的性能下降：天线在宽频带上使用时，会出现阻抗失配，从而导致无线通信的性能恶化。

而且，将阻抗失配的天线连接到通信电路上，长电缆会进一步加剧阻抗失配，从而导致插入损耗高于预期，无线通信的性能会显著恶化。通过使用本产品，可以改善天线匹配情况，即使在使用长电缆时也能抑制无线通信的性能恶化。

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