稳压器通过外部基准输入实现电压追踪满足不同功率系统要求至关重要

发布时间:2024/9/23 8:25:44 访问次数:179

SOI技术不存在寄生二极管结构，具有出色的稳健性，以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举二极管，可为外部高压侧自举电容供电，从而进一步降低系统级BOM成本。

这些半导体器件采用紧凑型3x3mm² VSON10封装，并且提供半桥（HB）和高边 + 低边（HS+LS）两种配置以及两种不同的拉/灌电流，可以在各种应用中驱动n沟道MOSFET。

此外,相关的JEDEC78/20/22测试表明，MOTIX 160 V解决方案完全满足工业应用要求。

四款降压稳压器（TDA38812、TDA38813、TDA38825 和 TDA38826），均具有独一无二的内部补偿功能，这不仅提高了易用性，还减少了对外部半导体组件的需求。

该系列产品采用了适合各种应用的通用性设计，并提供可供选择的开关频率和软启动功能。

由于具备可编程的电流限制，这些稳压器可以实现精准的控制，而且支持固定频率连续导通模式（FCCM）和不连续导通模式（DCM）。此外，TDA388xx系列稳压器还可通过外部基准输入实现电压追踪。这一灵活性对于满足不同的功率系统要求至关重要。

XHP系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENCHSTOP IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。

FF450R45T3E4_B5双开关与DD450S45T3E4_B5双二极管的组合可显著节省成本并缩小占板面积。

例如，过去的IGBT解决方案需要四个140x190mm²或140x130mm²开关以及一个140x130mm²双二极管。而全新的XHP系列产品能够将所需的元器件数量减少到两个140x100mm²双开关和一个更小的140x100mm²双二极管。

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