瞬态电压抑制二极管提供一种简单的解决方案来提高电路EMI和ESD抗扰度
发布时间:2024/9/11 8:24:42 访问次数:86
高压(HV)分立功率半导体器件的作用在当今世界的电力电子中变得越来越重要。
VFD和软启动器在相同的原理下工作，但具有不同的架构和应用程序用法。
低负载电容和高浪涌能力使SP4031成为保护电信端口如以太网和其他高速数据接口的理想选择。
在空闲状态下，MC68330只需极小的电流，非常适用于电池供电的应用。特别是对于功耗预算非常紧张的应用，3.3V MC68330V尤为吸引人。与MC68000完全兼容的代码使设计师可以访问广泛的实时内核、操作系统、语言、应用和开发工具库，其中很多面向嵌入式控制。
通过广泛的分立高压硅(Si)mosfet产品组合来解决这一发展问题，这些产品具有提高整体器件性能，降低损耗，提高雪崩稳健性和可靠的操作。
在高压分立硅MOSFET市场的领导地位，特别是在1700V以上,因此是1700V以上高压分立Si mosfet的市场领导者。没有其他制造商提供这种高压水平的分立硅mosfet。
拥有坚固可靠的设备，具有竞争力的产品性能，专利包装技术和领先的技术专长的产品组合使Littelfuse能够成功地支持客户开发苛刻的应用程序。
内部IC与外部电视保护电路
TVS二极管开启电压
二极管阵列应用提示
共模失调电压
后驱保护
差分输入和输出应用指南
西旗科技（销售二部）https://xiqikeji.51dzw.com
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VFD和软启动器在相同的原理下工作，但具有不同的架构和应用程序用法。
低负载电容和高浪涌能力使SP4031成为保护电信端口如以太网和其他高速数据接口的理想选择。
在空闲状态下，MC68330只需极小的电流，非常适用于电池供电的应用。特别是对于功耗预算非常紧张的应用，3.3V MC68330V尤为吸引人。与MC68000完全兼容的代码使设计师可以访问广泛的实时内核、操作系统、语言、应用和开发工具库，其中很多面向嵌入式控制。
通过广泛的分立高压硅(Si)mosfet产品组合来解决这一发展问题，这些产品具有提高整体器件性能，降低损耗，提高雪崩稳健性和可靠的操作。
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