BJT是一种三层结构的半导体元件，由两个PN结连接而成。 它的核心部件是由一块n型半导体材料和两块p型半导体材料组成的三层结构，其中中间的n型半导体区域称为基区（Base），两侧的p型半导体区域称为发射区（Emitter）和集电区（Collector）。

当发射极向基极注入电子时,这些电子会在基区中扩散,并与基区中的空穴复合,产生大量的少数载流子。

当控制基区的电流时，由于基区带电荷的变化，它将影响发射区中的载流子注入和集电区中的载流子吸收，从而使集电电流随之变化。

读数时视线应正对指针，即只能看见指针实物而不能看见指针在弧形反光镜中的像所读出的值。

如果被测的直流电压大于1000V时，则可将1000V挡扩展为2500V挡。方法很简单，将转换开关置 1000V 量程，红表笔从原来的"+"插孔中取出，插入标有2500V的插孔中即可测2500V以下的高电压。

这些载流子被从基区的另一端，即集电区吸收，从而形成集电电流。 由于基区的厚度很薄，因此它的电阻很小，可以忽略不计。

TMF8806强化单区检测功能，其标准模式下检测范围可扩展至1cm至2.5m，远程模式更可达5m。

BJT的工作原理基于PN结的电子注入和扩散，它可以通过控制基区的电流来调节集电区的电流，从而实现信号的放大和控制。

因此，BJT可以用作放大器和开关等电路中的控制元件。

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