连接架构使用高速接口确保存储和处理单元之间的快速数据传输
发布时间:2024/9/10 22:11:31 访问次数:172
测量直流电压时首先估计一下被测直流电压的大小。然后将测量选择开关拨至活当的申压量程(万用表直流电压挡标有"V"或标"DCV"符号),将红表笔接被测电压"+"端(即高电位端),黑表笔接被测量电压"-"端(即低电位端)。
测量三极管、电解电容等有极性元器件的等效电阻时,必须注意两个笔的极性(具体内容见电容器质量判别部分)。
存储层采用先进的DRAM技术(如DDR5)构建,提供高存取速度和大容量。
AI处理单元集成的AI加速器,支持深度学习算法和并行处理。
连接架构使用高速接口(如HBM或GDDR)确保存储和处理单元之间的快速数据传输。
控制器负责协调存储和处理单元的操作,优化数据流。
每换一次倍率挡,都要重新进行欧姆调零。
如果无法估计测量对象的大小,则应先选择该挡位的最大量程,然后逐步减小,直到能够准确读数。
找到所读电压刻度尺。仔细观察表盘,直流电压挡刻度线应是表盘中的第二条刻度线。表盘第二条刻度线下方有V符号,表明该刻度线可用来读交直流电压。
选择合适的标度尺,在第二条刻度线的下方有3个不同的标度尺,0-50-100-150-200-250、0-10-20-30-40-50、0-2-4-6-8-10。
读出指针示数大小。根据指针所指位置和所选标度尺读出示数大小。例如,指针指在0-50-100-150-200-250标度尺的100向右过2小格时,读数为110。
测量直流电压时首先估计一下被测直流电压的大小。然后将测量选择开关拨至活当的申压量程(万用表直流电压挡标有"V"或标"DCV"符号),将红表笔接被测电压"+"端(即高电位端),黑表笔接被测量电压"-"端(即低电位端)。
测量三极管、电解电容等有极性元器件的等效电阻时,必须注意两个笔的极性(具体内容见电容器质量判别部分)。
存储层采用先进的DRAM技术(如DDR5)构建,提供高存取速度和大容量。
AI处理单元集成的AI加速器,支持深度学习算法和并行处理。
连接架构使用高速接口(如HBM或GDDR)确保存储和处理单元之间的快速数据传输。
控制器负责协调存储和处理单元的操作,优化数据流。
每换一次倍率挡,都要重新进行欧姆调零。
如果无法估计测量对象的大小,则应先选择该挡位的最大量程,然后逐步减小,直到能够准确读数。
找到所读电压刻度尺。仔细观察表盘,直流电压挡刻度线应是表盘中的第二条刻度线。表盘第二条刻度线下方有V符号,表明该刻度线可用来读交直流电压。
选择合适的标度尺,在第二条刻度线的下方有3个不同的标度尺,0-50-100-150-200-250、0-10-20-30-40-50、0-2-4-6-8-10。
读出指针示数大小。根据指针所指位置和所选标度尺读出示数大小。例如,指针指在0-50-100-150-200-250标度尺的100向右过2小格时,读数为110。