位置:51电子网 » 技术资料 » 嵌入式系统

驱动器具有快速传播延迟和高峰值拉电流/灌电流能力在设计中驱动GaNFET

发布时间:2024/9/10 8:16:44 访问次数:124

AHV85110针对驱动多种应用和拓扑中的GaNFET进行了优化。一个隔离式输出偏置电源集成在驱动器器件中,无需任何外部驱动辅助偏置电源或自举。

大大简化了系统设计,并通过降低总共模(CM)电容来降低EMI。它还允许在开关电源拓扑中的任何位置驱动浮动开关。该驱动器具有快速传播延迟和高峰值拉电流/灌电流能力,可在设计中驱动GaNFET。

高CMTI与用于偏置功率和驱动的隔离输出相结合,使其成为需要隔离、电平转换或接地隔离以实现抗噪性的应用的理想选择。

与MLX9042x系列的其他传感器芯片一样,MLX90423的设计目的是旨在确保EMC测试一次成功,从而保持高效的设计流程并控制成本。它具有更高的绝对最大额定值(AMR),可提供包括反极性在内的多种保护,能够减少因电气过应力导致的质量事故并满足各种OEM要求。

Melexis MLX9042x器件的工作温度高达160℃。

MLX90423是一款面向未来的产品,适用于制动等ADAS应用。与其他线性位置感应解决方案相比,该器件具备极高的性价比。

XLR超级电容器模块提供高可靠性和长达20年的使用寿命。

XLR-48是由18个独立的2.70V XL60超级电容电池组成的48V, 166 F模块,而XLR-51是由18个独立的2.85V XL60超级电容电池组成的51V 188 F模块。

它们为在高冲击或室外环境中具有频繁充放电循环的大功率能源系统提供能量存储。

目标市场是设备制造商,公用事业,工程(EPCs)和公共交通运营商。XLR模块在48 V和51 V模块上通过了UN-ECE Reg. 10和Reg. 100认证。


西旗科技(销售二部)https://xiqikeji.51dzw.com


AHV85110针对驱动多种应用和拓扑中的GaNFET进行了优化。一个隔离式输出偏置电源集成在驱动器器件中,无需任何外部驱动辅助偏置电源或自举。

大大简化了系统设计,并通过降低总共模(CM)电容来降低EMI。它还允许在开关电源拓扑中的任何位置驱动浮动开关。该驱动器具有快速传播延迟和高峰值拉电流/灌电流能力,可在设计中驱动GaNFET。

高CMTI与用于偏置功率和驱动的隔离输出相结合,使其成为需要隔离、电平转换或接地隔离以实现抗噪性的应用的理想选择。

与MLX9042x系列的其他传感器芯片一样,MLX90423的设计目的是旨在确保EMC测试一次成功,从而保持高效的设计流程并控制成本。它具有更高的绝对最大额定值(AMR),可提供包括反极性在内的多种保护,能够减少因电气过应力导致的质量事故并满足各种OEM要求。

Melexis MLX9042x器件的工作温度高达160℃。

MLX90423是一款面向未来的产品,适用于制动等ADAS应用。与其他线性位置感应解决方案相比,该器件具备极高的性价比。

XLR超级电容器模块提供高可靠性和长达20年的使用寿命。

XLR-48是由18个独立的2.70V XL60超级电容电池组成的48V, 166 F模块,而XLR-51是由18个独立的2.85V XL60超级电容电池组成的51V 188 F模块。

它们为在高冲击或室外环境中具有频繁充放电循环的大功率能源系统提供能量存储。

目标市场是设备制造商,公用事业,工程(EPCs)和公共交通运营商。XLR模块在48 V和51 V模块上通过了UN-ECE Reg. 10和Reg. 100认证。


西旗科技(销售二部)https://xiqikeji.51dzw.com


热门点击

 

推荐技术资料

DFRobot—玩的就是
    如果说新车间的特点是“灵动”,FQPF12N60C那么... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!