系统保护功能和两个电流检测运放适合驱动直流有刷和双极步进电机
发布时间:2024/9/7 0:18:23 访问次数:154
N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品,主要用于智能手机锂离子电池组保护。
实现具有低漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）的双向开关需要两个具有低RDS(ON)的MOSFET，尺寸为3.3mm3.3mm或2mm2mm。
USB PD（USB Power Delivery）专门针对需要高功率供电的设备而开发，可以提供从15W（5V/3A）直至最大240W（48V/5A）的功率。USB PD具有角色交换功能，支持电源侧和接收侧的互换，要求USB充电设备能够双向供电，以便能够同时支持电力传输和电力接收。
4.5A STSPIN948和5.0A STSPIN958集成PWM控制逻辑电路和58V功率级，以及系统保护功能和两个电流检测运放，适合驱动直流有刷电机和双极步进电机。
两款驱动芯片都允许设计人员用一个外接电阻把输出晶体管的压摆率设为0.3V/ns、0.6V/ns、1.2V/ns或2V/ns，在功耗和电磁兼容性之间找到一个理想的均衡点。
内置死时机制可以有效预防击穿发生，每个MOSFET的导通电阻只有200mΩ，可以最大程度地提高能效。280ns的传播延时确保驱动快速应答系统命令。
D型封装器件容量达470µF至1500µF，120Hz和+25°C 条件下标准容差为±20%，同时提供公差为±10%的产品。STH系列器件工作温度-55°C至+85°C，降额使用时可达+125°C。120Hz和+25°C条件下，ESR低至0.50Ω。电容器有标准锡/铅（Pb）端接和符合RoHS的100%纯锡端接不同类型。
西旗科技（销售二部）https://xiqikeji.51dzw.com
N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品,主要用于智能手机锂离子电池组保护。
实现具有低漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）的双向开关需要两个具有低RDS(ON)的MOSFET，尺寸为3.3mm3.3mm或2mm2mm。
USB PD（USB Power Delivery）专门针对需要高功率供电的设备而开发，可以提供从15W（5V/3A）直至最大240W（48V/5A）的功率。USB PD具有角色交换功能，支持电源侧和接收侧的互换，要求USB充电设备能够双向供电，以便能够同时支持电力传输和电力接收。
4.5A STSPIN948和5.0A STSPIN958集成PWM控制逻辑电路和58V功率级，以及系统保护功能和两个电流检测运放，适合驱动直流有刷电机和双极步进电机。
两款驱动芯片都允许设计人员用一个外接电阻把输出晶体管的压摆率设为0.3V/ns、0.6V/ns、1.2V/ns或2V/ns，在功耗和电磁兼容性之间找到一个理想的均衡点。
内置死时机制可以有效预防击穿发生，每个MOSFET的导通电阻只有200mΩ，可以最大程度地提高能效。280ns的传播延时确保驱动快速应答系统命令。
D型封装器件容量达470µF至1500µF，120Hz和+25°C 条件下标准容差为±20%，同时提供公差为±10%的产品。STH系列器件工作温度-55°C至+85°C，降额使用时可达+125°C。120Hz和+25°C条件下，ESR低至0.50Ω。电容器有标准锡/铅（Pb）端接和符合RoHS的100%纯锡端接不同类型。
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