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低VCEsat晶体管性能卓越可以取代采用更大封装的标准晶体管

发布时间:2024/9/4 8:40:55 访问次数:193

TOLL封装的4mΩ碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)——UJ4N075004L8S。

该产品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计,UJ4N075004L8S所具有的低电阻、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠性等优点在上述应用中至关重要。

高能效氮化镓(GaN) 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。GaN 在电机控制应用中的参考设计和评估套件(EVK)。CGD旨在加快GaN功率IC在无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)应用中的使用,打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。

配备专业纹理相机,能够真实还原物体色彩信息。SFH 4726AS LED使用的是红外不可见光,投射时更安全、舒适,不会对人眼造成伤害。

智能补光设置使得用户可以自由选择开/关补光,避免光源频闪侧记的影响,真正实现不可见光扫描效果。

低VCEsat器件,例如PBS5350PAS-Q。这些器件结合了超低饱和电压和高电流增益,有助于提高许多电源应用的能效。低VCEsat晶体管性能卓越,可以取代采用更大封装的标准晶体管,从而可以在更小的PCB上实现更紧凑的设计。

10mmx10 mm 4040封装的第二代新型汽车级器件---IHLE-4040DDEW-5A,扩充IHLE®系列超薄、大电流集成式电场屏蔽电感器。

与上一代解决方案相比,Vishay Dale IHLE-4040DDEW-5A提供改进的屏蔽设计,极性标识提高EMI性能的一致性,不需要单独板级法拉第(Faraday)屏蔽,从而降低成本,节省电路板空间。

SOI工艺(TarfSOI™),实现了非常高的带宽:TDS4B212MX的-3dB带宽(差分)为27.5 GHz(典型值),TDS4A212MX为26.2 GHz(典型值),在业界处于领先地位。因此,新产品可用作PCIe®5.0,USB4®和USB4®Ver.2等高速差分信号的Mux/De-Mux开关。

西旗科技(销售二部)https://xiqikeji.51dzw.com

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该产品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计,UJ4N075004L8S所具有的低电阻、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠性等优点在上述应用中至关重要。

高能效氮化镓(GaN) 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。GaN 在电机控制应用中的参考设计和评估套件(EVK)。CGD旨在加快GaN功率IC在无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)应用中的使用,打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。

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智能补光设置使得用户可以自由选择开/关补光,避免光源频闪侧记的影响,真正实现不可见光扫描效果。

低VCEsat器件,例如PBS5350PAS-Q。这些器件结合了超低饱和电压和高电流增益,有助于提高许多电源应用的能效。低VCEsat晶体管性能卓越,可以取代采用更大封装的标准晶体管,从而可以在更小的PCB上实现更紧凑的设计。

10mmx10 mm 4040封装的第二代新型汽车级器件---IHLE-4040DDEW-5A,扩充IHLE®系列超薄、大电流集成式电场屏蔽电感器。

与上一代解决方案相比,Vishay Dale IHLE-4040DDEW-5A提供改进的屏蔽设计,极性标识提高EMI性能的一致性,不需要单独板级法拉第(Faraday)屏蔽,从而降低成本,节省电路板空间。

SOI工艺(TarfSOI™),实现了非常高的带宽:TDS4B212MX的-3dB带宽(差分)为27.5 GHz(典型值),TDS4A212MX为26.2 GHz(典型值),在业界处于领先地位。因此,新产品可用作PCIe®5.0,USB4®和USB4®Ver.2等高速差分信号的Mux/De-Mux开关。

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