电源轨场效应管输出信号FET上游连接任何电源都不受过压事件保护
发布时间:2024/8/6 19:57:09 访问次数:121
PDN在输入电源和PMIC之间需要有一个串联的外部功率FET。
PMIC通过OVPGDRV引脚实现FET前后的电压监控，当检测到大于6V的过压事件时，FET可以在输入电源上快速隔离PMIC，以保护系统免受损坏。
这包括来自的所有电源轨场效应管输出信号，FET上游连接的任何电源都不受过压事件的保护。
MCU和主要I/O域供电的负载开关，分立式降压电源DDR和为EFUSE供电的分立式稳压器LDO都连接到了FET之后，这样可以延长对这些处理器域和分立电源的过电压保护能力。
当放大器用于执行信号电压调节时，噪声被回馈到放大器的输入端。
目前有两个主要噪声源：放大器本身的输入参考噪声和ADC的按比例缩小的输入参考噪声。这两个噪声源以二次方式组合在一起。
放大器的噪声由ADC的输入带宽以及放大器和ADC输入之间的抗混叠滤波器滤除。
输入数量、所需尺寸和正确采样速度的模数转换器(ADC)。特别是对于处理宽电压摆幅的系统设计人员来说，人们担心缩小输入信号以驱动ADC的满量程范围会显著降低信噪比(SNR)。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
同步整流的基本电路结构功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。
使用模数转换器(ADC)进行设计时，一个典型的误解是，缩小输入信号以驱动ADC的满量程范围会显著降低信噪比(SNR)。对于使用宽电压摆幅的系统设计人员来说，这一点尤其值得关注。使问题更加复杂的是，与高压电源相比，用于低压电源(5V或更低)的ADC产品范围也广泛得多。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
PDN在输入电源和PMIC之间需要有一个串联的外部功率FET。
PMIC通过OVPGDRV引脚实现FET前后的电压监控，当检测到大于6V的过压事件时，FET可以在输入电源上快速隔离PMIC，以保护系统免受损坏。
这包括来自的所有电源轨场效应管输出信号，FET上游连接的任何电源都不受过压事件的保护。
MCU和主要I/O域供电的负载开关，分立式降压电源DDR和为EFUSE供电的分立式稳压器LDO都连接到了FET之后，这样可以延长对这些处理器域和分立电源的过电压保护能力。
当放大器用于执行信号电压调节时，噪声被回馈到放大器的输入端。
目前有两个主要噪声源：放大器本身的输入参考噪声和ADC的按比例缩小的输入参考噪声。这两个噪声源以二次方式组合在一起。
放大器的噪声由ADC的输入带宽以及放大器和ADC输入之间的抗混叠滤波器滤除。
输入数量、所需尺寸和正确采样速度的模数转换器(ADC)。特别是对于处理宽电压摆幅的系统设计人员来说，人们担心缩小输入信号以驱动ADC的满量程范围会显著降低信噪比(SNR)。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
同步整流的基本电路结构功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。
使用模数转换器(ADC)进行设计时，一个典型的误解是，缩小输入信号以驱动ADC的满量程范围会显著降低信噪比(SNR)。对于使用宽电压摆幅的系统设计人员来说，这一点尤其值得关注。使问题更加复杂的是，与高压电源相比，用于低压电源(5V或更低)的ADC产品范围也广泛得多。
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