出脚和串行EEPROM保持连续性使得进行升级设计上实现节省设计时间
发布时间:2024/7/23 22:55:38 访问次数:59
双数据速率3(DDR3)器件和模块给业界一流的PC工业开发商.
这种下一代存储器产品的速率是当今最高速度存储器产品的两倍.首个配备了DDR3存储器技术的计算机系统将问世.
Infineon DDR3 SDRAM元件的容量从256Mb到8Gb.开始的容量,最重要的512Mb和1Gb,接着是2Gb,最后是4Gb.
标准JEDEC模块的DDR3容量将从256MB到高达8GB,以满足特殊应用如服务器的需求.
M25PE的容量有1Mb,2Mb 和4Mb,它的主要优点是出脚和串行EEPROM保持连续性,使得灵活地进行升级,这就是说设计上容易实现,节省了设计时间.
M25PE系列提供高度灵活性,256字节页写入的精细粒度,使得快速变化的数据能以最小的系统开销来存储,快速读出吞吐量,区块(64KB)擦除,及灵活的命令架构,使得下一代有丰富特性的电子设备有最佳成本.
提供顶部扇区(64KB)的硬件保护和其它特性如专用的器件签名,块擦除(Bulk Erase)指令和特殊写入保护.
没有其它准直光学器件，安装在相机中的这些LED在所有工作环境以及某一故障发生时都能符合IEC/EN 60825-1 (2001) Class 1的护眼要求。XC4VFX40-10FF1152I
ASMT-FJ10芯片采用铝铟镓磷化物(AlInGaP)材料技术，在高达50mA的驱动电流范围内提供非常高的发光率。这款模具封装技术与无铅红外线回流焊接工艺兼容.
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
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Infineon DDR3 SDRAM元件的容量从256Mb到8Gb.开始的容量,最重要的512Mb和1Gb,接着是2Gb,最后是4Gb.
标准JEDEC模块的DDR3容量将从256MB到高达8GB,以满足特殊应用如服务器的需求.
M25PE的容量有1Mb,2Mb 和4Mb,它的主要优点是出脚和串行EEPROM保持连续性,使得灵活地进行升级,这就是说设计上容易实现,节省了设计时间.
M25PE系列提供高度灵活性,256字节页写入的精细粒度,使得快速变化的数据能以最小的系统开销来存储,快速读出吞吐量,区块(64KB)擦除,及灵活的命令架构,使得下一代有丰富特性的电子设备有最佳成本.
提供顶部扇区(64KB)的硬件保护和其它特性如专用的器件签名,块擦除(Bulk Erase)指令和特殊写入保护.
没有其它准直光学器件，安装在相机中的这些LED在所有工作环境以及某一故障发生时都能符合IEC/EN 60825-1 (2001) Class 1的护眼要求。XC4VFX40-10FF1152I
ASMT-FJ10芯片采用铝铟镓磷化物(AlInGaP)材料技术，在高达50mA的驱动电流范围内提供非常高的发光率。这款模具封装技术与无铅红外线回流焊接工艺兼容.
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