模拟滤波器将继续向着小型化集成化和高性能化的方向发展

发布时间:2024/5/28 13:24:13 访问次数:64

商用现货（COTS）技术，在过渡到耐辐射器件时，由于设计保持引脚兼容，可大大简化设计过程。为空间应用提供了全面的系统解决方案，可围绕SAMD21RT单片机设计多种器件，包括 FPGA、电源和分立器件、存储器产品、通信接口以及各种规格的振荡器。

为了承受包括辐射和极端温度在内的恶劣环境，SAMD21RT可在−40°C至125°C的温度范围内工作，并具有高水平的辐射耐受性，总电离剂量（TID）能力高达50krad，单次事件闩锁（SEL）抗扰度高达78MeV.cm²/mg。

XP018高压CMOS半导体制造平台，增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA，提高运行稳健性。与上一代平台相比，此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%，为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中。

XP018平台作为一款模块化180纳米高压EPI技术解决方案，基于低掩模数5V单栅极核心模块，支持-40°C至175°C的宽温度范围，并提供一系列可选的器件和模块——包括高增益双极器件、标准和高电容密度MIM电容器、多阈值（Vt）选项、肖特基二极管和耗尽型器件。

需求分析方面，随着射频技术的不断发展和应用，对于高频信号传输和转换的需求越来越高。

磁耦合RF变压器作为一种重要的射频组件，具有较低的传输损耗、高阻抗匹配和信号隔离等优势，将在射频领域持续发挥重要作用。

HPE ProLiant Gen11服务器、HPE Alletra 4000数据存储服务器和HPE Synergy 480 Gen11计算模块支持最新的PCIe®5.0接口，性能最高可达PCIe®4.0的两倍，并可选择配备EDSFF E3.S驱动器槽。

作为2.5英寸外形规格的自然演进，EDSFF E3.S专为满足高性能闪存存储需求而设计。

深圳市裕硕科技有限公司http://yushuollp.51dzw.com

需求分析方面，随着射频技术的不断发展和应用，对于高频信号传输和转换的需求越来越高。

磁耦合RF变压器作为一种重要的射频组件，具有较低的传输损耗、高阻抗匹配和信号隔离等优势，将在射频领域持续发挥重要作用。

作为2.5英寸外形规格的自然演进，EDSFF E3.S专为满足高性能闪存存储需求而设计。

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