漏源导通电阻×栅漏电荷降低大约80%导通损耗与开关损耗间关系

发布时间:2024/5/22 0:16:55 访问次数:92

带有片内LO缓冲器的完全集成、2000MHz至3900MHz下变频混频器MAX19996A。

单片SiGe BiCMOS工艺设计，集优异的线性度、噪声性能和高度的器件集成特性于一体，能够工作于极宽的频段范围。

器件具有业内最佳的2LO-2RF杂散抑制：-10dBm RF电平下为67dBc，-5dBm RF电平下为62dBc。

支持2.3GHz至2.9GHz WCS、LTE、WiMAX和MMDS基站中的高边和低边LO注入架构，此外MAX19996A还可以配置为3.1GHz至3.9GHz WiMAX和LTE低边注入架构。

功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品。

新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。

进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。

控制包括车载传感器和摄像头在内的ADAS系统的SoC和微控制器也日益复杂（为提高处理能力而提高电流、为省电而降低电压），这就要求向它们供电的电源IC，要在负载电流波动的严苛条件下，也能更稳定地运行。

用于IGBT的硅基AE5工艺可将功率损耗降低10%，这一节能技术将有助于 EV开发人员节省电池电量并增加行驶里程。新产品在保持高稳健性的同时，体积也缩小了约10%。

这款全新器件通过在低功率损耗和高稳健性的权衡中取得最佳平衡,实现了IGBT行业领先的性能水平。

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