XT连接技术这些器件可提供一流的散热性能及高防潮性
发布时间:2024/3/20 9:01:24 访问次数:69
与1700V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。
CoolSiC™MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。
除了2000V CoolSiC™MOSFET之外，将推出配套的CoolSiC™二极管：首先将采用TO-247PLUS 4引脚封装的2000V 二极管产品组合，随后将采用TO-247-2封装的2000V CoolSiC™二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外，还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。
在单体封装中包括PIN光电二极管、红外发射器（IRED）和低功率控制IC。升级版红外收发器采用Vishay内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，旨在确保IRDC产品向客户长期供货。作为现有器件即插即用的替代品，这些模块不需要重新设计PCB，有助于节省成本。
符合最新IrDA物理层标准的TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件向后兼容，具有顶视和侧视表面贴装封装。增强型解决方案可以即插即用的方式替换现有系列器件。
器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，具有多种封装尺寸，工作电压2.4V至5.5V，工作温度-25 °C至+85°C。
在碳化硅 (SiC) 材料出现的情况下,我们的功率模组团队致力于研发，积极探索200°C封装，验证新材料和技术，开拓下一代轻量化、高功率模组.这个方向也与公司致力于实现净零排放'的目标保持一致。
与1700V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。
CoolSiC™MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。
除了2000V CoolSiC™MOSFET之外，将推出配套的CoolSiC™二极管：首先将采用TO-247PLUS 4引脚封装的2000V 二极管产品组合，随后将采用TO-247-2封装的2000V CoolSiC™二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外，还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。
在单体封装中包括PIN光电二极管、红外发射器（IRED）和低功率控制IC。升级版红外收发器采用Vishay内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，旨在确保IRDC产品向客户长期供货。作为现有器件即插即用的替代品，这些模块不需要重新设计PCB，有助于节省成本。
符合最新IrDA物理层标准的TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件向后兼容，具有顶视和侧视表面贴装封装。增强型解决方案可以即插即用的方式替换现有系列器件。
器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，具有多种封装尺寸，工作电压2.4V至5.5V，工作温度-25 °C至+85°C。
在碳化硅 (SiC) 材料出现的情况下,我们的功率模组团队致力于研发，积极探索200°C封装，验证新材料和技术，开拓下一代轻量化、高功率模组.这个方向也与公司致力于实现净零排放'的目标保持一致。
相关技术资料- 5-20最新一代低功耗无线射频芯片OM6629系列方案
- 5-20新一代 Zen 6 EPYC 处理器 Venice
- 5-20Immortalis-G925 GPU工作原理
- 5-20Hopper架构H20芯片应用前景分析
- 5-20传感器、芯片和算力平台、通信模块、执行机构名词解释
- 5-20Automatic Emergency Braking自动紧急制动
- 5-19高功率瞬态抑制二极管DO-214AB SMC封装
- 5-19400mA、10V、低压差稳压器REG113
- 5-19低压差线性稳压器（Low-Dropout Regulator）详解
- 5-19储能市场升降压充电IC市场发展及应用前景原创
- 5-19数据新时代BBU市场规模高速增长探究
- 5-19高精度BMS芯片市场前景及未来发展分析
公网安备44030402000607
