在设计上具有较低的传导和开关损耗大幅提升整体系统效率

发布时间:2024/3/20 8:46:57 访问次数:56

CoolSiC MOSFET 750 V G1技术的特点是出色的RDS(on)xQfr和卓越的RDS(on)xQoss优值（FOM），在硬开关和软开关拓扑结构中均具有超高的效率。

全新CoolSiC MOSFET 750V G1产品系列在25°C时的RDS(on)为8至140 mΩ，可满足广泛的需求。

其在设计上具有较低的传导和开关损耗，大幅提升了整体系统效率。创新的封装更大程度地减少了热阻、帮助改善散热并优化电路内功率环路电感，在实现高功率密度的同时降低了系统成本。值得一提的是，该产品系列采用了先进的QDPAK顶部冷却封装。

专注于性能优化和大规模生产的电池创新人员需要采用灵敏的工具来表征电极浆料的成分并确保质量。

有了Rheo-IS附件，我们就可以利用这款功能多样且简便易用的Discovery HR混合型流变平台进行浆料配方分析，实现全范围的电阻抗测量并获得出色的流变灵敏度。

TA仪器的Rheo-IS附件为我们的研究项目带来了全新的科学视角，让我们能够深入研究导电和离子导电柔性材料。这套一体化工作流程可自动执行复杂的流变学和电学方案，辅以硬件和软件的紧密集成，使测量成为常规性工作，在提高通量的同时还能够改善数据质量。

750V G1分立式CoolSiC™MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。

该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。

这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）。

CoolSiC MOSFET 750 V G1技术的特点是出色的RDS(on)xQfr和卓越的RDS(on)xQoss优值（FOM），在硬开关和软开关拓扑结构中均具有超高的效率。

全新CoolSiC MOSFET 750V G1产品系列在25°C时的RDS(on)为8至140 mΩ，可满足广泛的需求。

专注于性能优化和大规模生产的电池创新人员需要采用灵敏的工具来表征电极浆料的成分并确保质量。

750V G1分立式CoolSiC™MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。

该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。

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