E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻RDS(on)最低为9.4mΩ。全新的高效率SiC模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。

模块可以取代多达四个分立式SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行,通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。

这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。

以9.4mΩ导通电阻的UHB100SC12E1BC3N为代表的这四款SiC模块均采用Qorvo独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至0.23°C/W；

与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类SiC电源模块高出2倍。

得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。

RZ/V2H配备新一代专有AI加速器DRP-AI3（动态可配置处理器-AI3），可带来10TOPS/W的能效，相比早期型号提高可达10倍之多。

此外，DRP-AI3加速器采用的剪枝技术显著增强了AI计算效率，将AI推理性能提升至80TOPS。这种性能提升使工程师能够直接在边缘AI设备上处理视觉AI应用，而无需依赖云计算平台。