半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。

模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。

这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。

产品特点

行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围

通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。

内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。

与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。

行业先端的65%漏极效率，实现低功耗

针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。

漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。

双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本

与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。

兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。

分立式FET解决方案的最新产品系列，Nexperia展示了我们如何利用我们专业的研发知识来提供优化的解决方案。

高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。

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