共源共栅配置最大限度地降低了导通电阻和开关损耗
发布时间:2024/3/2 21:22:04 访问次数:59
随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。
这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。
以9.4mΩ导通电阻的UHB100SC12E1BC3N为代表的这四款SiC模块均采用Qorvo独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗,从而能够极大地提升效率,这一优势在软开关应用中尤为显著。
3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。
为此，Nexperia发布了采用2mmx2mm DFN2020封装的100V PoE ASFET，与以前采用LFPAK33封装的版本相比，占用的空间减少了60%。
这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口，同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况，Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。
银烧结芯片贴装将热阻降至0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类SiC电源模块高出2倍。
这一点对于需要长期运行且难以更换电源的应用尤为重要。
模块的工厂校准温度补偿和嵌入式的32.768 kHz晶体谐振器，提供了-40°C至85°C范围内的±2.5 ppm精度（0°C至50°C范围内为±1.5ppm；相当于±0.13秒/天），以及+85°C至+105°C范围内的±20 ppm精度。这种高精度时间管理功能，结合超低的时间保持电流（低至160纳安），极大地延长了电池寿命，并支持1.3V至5.5V的宽电压运行范围。
随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。
这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。
以9.4mΩ导通电阻的UHB100SC12E1BC3N为代表的这四款SiC模块均采用Qorvo独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗,从而能够极大地提升效率,这一优势在软开关应用中尤为显著。
3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。
为此，Nexperia发布了采用2mmx2mm DFN2020封装的100V PoE ASFET，与以前采用LFPAK33封装的版本相比，占用的空间减少了60%。
这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口，同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况，Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。
银烧结芯片贴装将热阻降至0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类SiC电源模块高出2倍。
这一点对于需要长期运行且难以更换电源的应用尤为重要。
模块的工厂校准温度补偿和嵌入式的32.768 kHz晶体谐振器，提供了-40°C至85°C范围内的±2.5 ppm精度（0°C至50°C范围内为±1.5ppm；相当于±0.13秒/天），以及+85°C至+105°C范围内的±20 ppm精度。这种高精度时间管理功能，结合超低的时间保持电流（低至160纳安），极大地延长了电池寿命，并支持1.3V至5.5V的宽电压运行范围。
相关技术资料- 5-15高性能全局快门图像传感器SC533HGS
- 5-15 I2C 接口 PmBUS 及 OTP/MTP 存储器
- 5-15处理器核心电源 Intelli-Phase（单片DrMOS）
- 5-15业界首款全自研高性能RISC-V服务器芯片
- 5-15数字恒定导通时间控制模式（COT）
- 5-15Power Management Buck/降压转换
- 5-15Quiet Switcher技术 (QSTTM)集成驱动 MOSF
- 5-14高精度智能磁性传感器芯片KTM5900
- 5-14新一代全光纤工业光总线技术应用前景
- 5-14通感控一体全光网芯片TS-PON Gen2
- 5-14Sub-GHz/Wi-SUN 收发器技术参数设计
- 5-14低功耗 8 位和 16 位微控制器（MCU）
公网安备44030402000607
