64层512Gb V-NAND先进的电路设计和新的电源管理技术，将能源消耗降到最低。另外，512GB eUFS控制器芯片加速了将逻辑块地址转换为物理块地址的映射过程。

512GB eUFS读写性能也非常强大。512GB嵌入式存储器的顺序读写速度分别达到860MB/s和255MB/s,能够在6秒内将5GB的全高清视频片段传输到SSD，相比于普通的micro SD卡速度提高了8倍。

另外，稳步增加其64层512Gb V-NAND芯片的产量，并扩大256Gb V-NAND芯片的产量，以满足高级嵌入式移动存储以及高密度,高性能的高级固态硬盘和可移动存储卡的需求。

TAIYO YUDEN EYSHSNZWZ模块由Nordic nRF52832片上系统 (SoC) 提供支持，此SoC配备具有512kB闪存和64kB RAM的32位ARM®Cortex®-M4F处理器、12位模数转换器，并支持SPI、UART、I2C和 I2S接口。

freeXpansion™技术，是非常节省空间的制程，进一步减少表面安装封包的体积，亦让Multifuse®组件可处理更大的电流与电压，阻抗稳定更佳。

通过Equation 2，可以看出 A_CL 的值需要为100,或者R_F是R_2的100倍。

以1～4节电池为对象，利用升降压控制生成3.07V～19.2V的充电电压，同时支持最先进的USB PD系统的电池充电IC。实现ROHM独创、业界首发的充电系统双输入功能，且搭载充电适配器判定功能，无需微控制器控制即可进行充电切换。

另外，不仅支持USB PD标准，还支持当今最普及的USB BC1.2*1)USB充电标准。可轻松实现USB充电、无线供电*2)、AC适配器充电等充电方式，非常有助于创建更便捷的充电环境。