死区时间补偿控制无交互控制高级编码器1通道定时器32位

发布时间:2024/1/18 8:50:06 访问次数:54

在整流工况下，损耗主要集中在D1/D4管和T2/T3管，D1/D4存在导通损耗和反向恢复损耗，T2/T3在换流时产生导通损耗和开关损耗，而D2/D3和D5/D6仅存在导通损耗。

以F3L225R12W3H3器件(NPC1)在100kW PCS的仿真为例，仿真条件为Vdc=1000V，Vac=380V，Fsw=16kHz，Fout=50Hz，在逆变工况时，NPC1的损耗主要集中在T1/T4管，包括导通损耗和开关损耗；T2/T3为常开状态，损耗主要为导通损耗；

D5/D6在换流时导通，其损耗包括导通损耗和反向恢复损耗。

3相补偿输出：分辨率：12.5ns，负载=15位

PFC控制：支持3相交错式PFC

通过外部输入的急停功能高级矢量引擎+（A-VE+）1通道

用于矢量控制运算和协调运算的协处理器

有ADC/A-PMD

1个并联电流检测区域的扩展控制

死区时间补偿控制，无交互控制高级编码器（A-ENC）1通道定时器32位：6通道

X470 Gaming M7 AC，通过将核心电压拉高到1.4V、SoC电压拉高到1.15V，成功将频率稳定在3.9GHz，而且能通过多番测试：CineBench R15单线程分数自126分提高到151分，PCMark 10图像处理得分自1609分提高到1924分，视频编辑得分自1583分提高到1884分，应用启动分自8735分提高到11471分，渲染及其他视觉工作得分自4591分提高到，目前TomsHardware的测试大致就是这么多。

Res厚膜阵列100 Ohm 5％±200ppm/°C ISOL环氧树脂8针0804（4 X 0402）凸面SMD T / R YC124-JR-07100RL电阻阵列将多个电阻器集成到一个IC芯片中。