全新精密温度传感器TS5111，用于DDR5存储器模块以及其它需要精确、实时温度监控的多种应用，例如固态磁盘（SSD）、计算主板和通信设备等。

符合JEDEC（固态技术协会）标准的全新温度传感器使内存模块和其它温度敏感系统能够通过实时、闭环的热管理算法以高效率及可靠性运行。

TS5111支持I²C、SMBUS以及全新I3C Basic协议，可支持高达12.5MHz的数据速率及其它高级功能，如带内中断、奇偶校验和数据包错误校验。

电击可以对人体造成内部伤害。因为人体内部具有较高的电阻,所以当电流流经人体内部时,会产生高热现象。这种高热现象会对人体内部组织造成破坏,并对呼吸、心脏和神经系统造成损伤,影响人体器官的正常丁作,严重者导致死亡.

而对于心脏器官的跳动运行,甚至不需要太大的电流就可以使其丧失功能。

电击,闪电、家用电线、插座或某些带电负载等,都可能引起电击事故。而根据人体电阻大小和触电持续时问的长短,会造成不同程度的电击损伤,严重程度为轻度烧伤,甚至死亡。

MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至1.7V至1.95V，配有串行外设接口（SPI）。

工作电压3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽车级FRAM产品。但高端汽车电控单元的推出，使得一些客户开始要求FRAM的工作电压低于1.8V。这款全新FRAM正是为了满足这一市场需求而面世的。

除2Mbit FRAM，目前正在研发125°C温度系列容量为4Mbit的存储产品。将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。  

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