新型SMC 2000系列智能存储控制器，使CPU、GPU和SoC能够利用CXL接口连接DDR4或DDR5存储器。该解决方案可为每个内核提供更大的存储带宽和更高的存储容量，并使现代CPU能够优化应用工作负载，从而降低数据中心的整体总拥有成本。

低延迟SMC 2000 16x32G和SMC 2000 8x32G存储控制器的设计符合CXL 1.1和CXL 2.0规范、DDR4和DDR5 JEDEC标准，并支持PCIe®5.0规范速度。

SMC 2000 16x32G是业界容量最大的控制器，有16条通道，运行速度为32GT/s，支持DDR4-3200或DDR5-4800的两个通道，从而大大减少了每个存储通道所需的主机CPU或SoC引脚数量。

从旋涡叶片进来的空气和从二股气流孔进来的空气互相作用,形成一个低速回流区,起稳定和系留火焰的作用。设计中应当使从喷嘴呈锥形喷出的燃油与回旋涡流的中心相交,这样和主燃区的总体紊流一起,极大地帮助破碎燃油并使之与空气混合。

ZR搭载USB3.2 Gen 2高速传输接口，支持UASP加速，对于ZR 500GB移动固态硬盘本身，其最大读取速度550MB/s，极快的读写速度让它可以从容应对设计素材加载、视频文件预览等工作，提高工作效率。提供128GB-2TB多种容量选择，海量数据轻松容纳，满足你的个性化存储需求。

开放式NAND闪存接口（ONFI）使传输速率大大提高，达到2400 MT/s，再次领先业界，比上一代技术提高50% 以上。此外双向带宽也有提高，相比176层产品，232层NAND的写入带宽提升可达100%，读取带宽提升超过75% 。

为了实现存储与性能进步，我们需要将3D NAND划分为更多的六个平面，以实现更高程度的并行，从而提高性能。

样和主燃区的总体紊流一起,极大地帮助破碎燃油并使之与空气混合。