电压低于40V的低压MOSFET的重点在于给定导通阻抗条件下将裸片尺寸减至最小,从而降低单位成本。

因此，开发就转向了诸如沟槽FET(带有额外解耦垂直场效电板从漏极屏蔽门极)、沟槽LDMOS(结合了沟槽MOS的紧凑性及背面漏极与LDMOS的较低Qg(d))以及优化了金属化/封装的LDMOS等架构。

由于击穿电压更高及未钳位开关特性(UIS)的缘故，提升击穿强固性也非常重要。

虽然多年来基于硅的晶体管有了持续改进，但硅基材料特性上的限制表明，未来十年人们还需要寻求其它可用方案。

为了模组更高精度感测机制、高比特率数据转换、不同接口协议、预驱动器/控制环路，及精确片上电压/电流参考的需求，模拟功能也在不断增多。

100至200 V及5至10 A的电源驱动器。这些器件带有低导通阻抗，及利用深沟槽及绝缘硅(SOI)技术的高密度、强固型高压隔离架构。

厚铜、金或铝线邦定、缎带(ribbon)封装黏着(clip bonding) ，以及功率优化的芯片级封装(CSP)也在增强裸片与外部电极之间的电阻连接效率,显示了封装技术的演进。

IPM内部集成了能连续检测IGBT电流和温度的实时检测电路，当发生严重过载甚至直接短路时，以及温度过热时，IGBT将被有控制地软关断，同时发出故障信号。

IPM还具有桥臂对管互锁、驱动电源欠压保护等功能。尽管IPM价格高一些，但由于集成的驱动、保护功能使IPM与单纯的IGBT相比具有结构紧凑、可靠性高、易于使用等优点。

模块采用的直接敷铜(DBC)技术增强了电气性能，而陶瓷衬底(如三氧化二铝及氮化铝)能够同时提升冷却效率。封装-组装技术上的改进也实现了几个裸片和无源器件的平面共同整合(co-integration)，以及旨在增加系统整合度的垂直堆栈技术。

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