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OCT2224W功耗效率其它DSP产品提升3倍提供业内最佳能效比

发布时间:2023/11/11 23:50:40 访问次数:74

下一代NVM(非易失性存储器)技术是FeRAM、MRAM以及PCM,三者采用不同的材料、不同的状态存储机制和不同的感应技术。

FeRAM和MRAM是低存储密度的NV SRAM,主要面向对存储密度要求不大的应用市场。

PCM仍处于开发状态,由于量产、性能和可靠性等问题还没有商业化,将主要面向像DRAM和闪存这样的更高密度应用市场

高容量16Mb MRAM,这一竞争格局又发生了新的变化,进一步挤压原有SRAM市场空间。

PHY和MAC的业界最高效的多核DSP产品解决方案系列的一部分。OCT2224W的功耗效率较目前市场上其它DSP产品提升了3倍,可提供业内最佳的能效比。

OCT2224W可为20MHz 2x2 BTS提供LTE PHY和MAC,且功耗仅有3瓦。

借助集成开发环境-Opus Studio,OCT2224W,包括24个可编程的高性能Opus2 DSP核心。

这种相同的构架有助于简化应用分区,并且支持粗粒度并行化,同时它还具备高度可编程硬件加速器,不仅支持当前的蜂窝标准,而且还具备出色的灵活性以支持未来的修订标准。

In-Sight Explorer软件的新版本,除了支持新的In-Sight5605,In-Sight Explorer 4.4.1还增加了几项新的主要功能和易于使用的改进功能,包括:

1DMax是一款针对全方位条形码读取进行优化的一维条形码读取工具。Cognex 1DMax提供了行业最佳的读取功能,可读取由于损坏、模糊、反射和低对比度造成的读取困难的代码。

In-Sight5605可提供的分辨率是之前任何In-Sight系统的两倍以上;有了更高的像素和GigE通信支持,In-Sight的高级视觉工具可以更快速且更准确地处理一些应用,如高准确度测量、查找极小的边缘缺陷或从许多堆叠的产品中读取ID代码。


http://tx168.51dzw.com

下一代NVM(非易失性存储器)技术是FeRAM、MRAM以及PCM,三者采用不同的材料、不同的状态存储机制和不同的感应技术。

FeRAM和MRAM是低存储密度的NV SRAM,主要面向对存储密度要求不大的应用市场。

PCM仍处于开发状态,由于量产、性能和可靠性等问题还没有商业化,将主要面向像DRAM和闪存这样的更高密度应用市场

高容量16Mb MRAM,这一竞争格局又发生了新的变化,进一步挤压原有SRAM市场空间。

PHY和MAC的业界最高效的多核DSP产品解决方案系列的一部分。OCT2224W的功耗效率较目前市场上其它DSP产品提升了3倍,可提供业内最佳的能效比。

OCT2224W可为20MHz 2x2 BTS提供LTE PHY和MAC,且功耗仅有3瓦。

借助集成开发环境-Opus Studio,OCT2224W,包括24个可编程的高性能Opus2 DSP核心。

这种相同的构架有助于简化应用分区,并且支持粗粒度并行化,同时它还具备高度可编程硬件加速器,不仅支持当前的蜂窝标准,而且还具备出色的灵活性以支持未来的修订标准。

In-Sight Explorer软件的新版本,除了支持新的In-Sight5605,In-Sight Explorer 4.4.1还增加了几项新的主要功能和易于使用的改进功能,包括:

1DMax是一款针对全方位条形码读取进行优化的一维条形码读取工具。Cognex 1DMax提供了行业最佳的读取功能,可读取由于损坏、模糊、反射和低对比度造成的读取困难的代码。

In-Sight5605可提供的分辨率是之前任何In-Sight系统的两倍以上;有了更高的像素和GigE通信支持,In-Sight的高级视觉工具可以更快速且更准确地处理一些应用,如高准确度测量、查找极小的边缘缺陷或从许多堆叠的产品中读取ID代码。


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