新产品替代通态电阻较高的MOSFET来提高终端应用的能效
发布时间:2023/10/25 23:07:14 访问次数:91
集电极一发射极击穿电压是晶体三极管的一项极限参数。BUc EO是指基极开路时，所允许加在集电极与发射极之间的最大电压。工作电压超过BUc EO，三极管将可能被击穿。
集电极最大电流/CM也是晶体三极管的一项极限参数。CM是指三极管正常工作时，集电极所允许通过的最大电流。三极管的工作电流不应超过/CM。
集电极最大功耗PCM是晶体三极管的又一项极限参数。PCM是指三极管性能不变坏时所允许的最大集电极耗散功率。使用时三极管实际功耗应小于PCM，并留有一定余量，以防烧管。
单结晶体管又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。
单结晶体管可分为N型基极单结晶体管和P型基极单结晶体管两大类，具有陶瓷封装和金属壳封装等形式。
国产单结晶体管的型号命名由5个部分组成，第一部分用字母“B”表示半导体管，第二部分用字母“T”表示特种管，第三部分用数字“3”表示有3个电极，第四部分用数字表示耗散功率，第五部分用字母表示特性参数分类。
三极篱的特点是具有电流放人作用，即可以用较小的基极电流控制较大的集电极（或发射极）电流，集电极电流是摹极流的p倍。
设计工程师可直接将新产品替代通态电阻较高的MOSFET来提高终端应用的能效，或并联更少的MOSFET晶体管，从而减少封装尺寸，降低材料（BOM）成本。
三极篱的特点是具有电流放人作用，即可MA77以用较小的基极电流控制较大的集电极（或发射极）电流，集电极电流是摹极流的p倍。
http://tx168.51dzw.com上海熠富电子科技有限公司
集电极一发射极击穿电压是晶体三极管的一项极限参数。BUc EO是指基极开路时，所允许加在集电极与发射极之间的最大电压。工作电压超过BUc EO，三极管将可能被击穿。
集电极最大电流/CM也是晶体三极管的一项极限参数。CM是指三极管正常工作时，集电极所允许通过的最大电流。三极管的工作电流不应超过/CM。
集电极最大功耗PCM是晶体三极管的又一项极限参数。PCM是指三极管性能不变坏时所允许的最大集电极耗散功率。使用时三极管实际功耗应小于PCM，并留有一定余量，以防烧管。
单结晶体管又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。
单结晶体管可分为N型基极单结晶体管和P型基极单结晶体管两大类，具有陶瓷封装和金属壳封装等形式。
国产单结晶体管的型号命名由5个部分组成，第一部分用字母“B”表示半导体管，第二部分用字母“T”表示特种管，第三部分用数字“3”表示有3个电极，第四部分用数字表示耗散功率，第五部分用字母表示特性参数分类。
三极篱的特点是具有电流放人作用，即可以用较小的基极电流控制较大的集电极（或发射极）电流，集电极电流是摹极流的p倍。
设计工程师可直接将新产品替代通态电阻较高的MOSFET来提高终端应用的能效，或并联更少的MOSFET晶体管，从而减少封装尺寸，降低材料（BOM）成本。
三极篱的特点是具有电流放人作用，即可MA77以用较小的基极电流控制较大的集电极（或发射极）电流，集电极电流是摹极流的p倍。
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