低功率DDR3内存缓冲芯片，可在高达1866兆/秒(MT/s)的传输速率下运行。

通过提升DDR3减少负载双列直插内存模块(LRDIMM)的最高数据传输速率，并使系统制造商获益于更高速度的内存容量，新器件彰显了IDT在内存接口解决方案领域的领导者地位。内存缓冲芯片是用于服务器、工作站和存储应用的先进内存子系统的关键组件。

XLerate-12X CXP-to-CXP有源光缆是高密度信号传输的理想选择，适用于高性能计算应用和数据中心的关键操作。

16位PulSAR®逐次逼近型ADC内核与高阻抗输入缓存和7级片内PGIA(可编程增益仪表放大器)集成在一起。

ADAS3022包括8通道低泄漏多路复用器和精密低漂移4.096V基准电压源。

新推出的IC具有8个数据通道，提供完整16位动态范围，并且经过优化，可与从±10V至最低±640mV的众多传感器接口。

高度集成的数据采集IC(集成电路)ADAS3022，该产品占用的电路板空间仅为竞争产品分立器件的三分之一，有助于工程师简化设计，缩小高级工业数据采集系统的尺寸。

通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台，彰显出IR在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频，以期更有效地使用电能及绿化环境。

新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，从而提升可靠性与耐用性。

这个平台的参数分布较窄，在高电流功率模块内并联起多个IGBT之时，可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到175°C的最高结温。

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