嵌入式非易失性存储器技术达到更大密度改善存取时间和性能
发布时间:2023/9/23 23:11:28 访问次数:49
1-Mbit串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM)系列，以及新的拥有集成实时时钟（RTC）的4-Mbit和8-Mbit nvSRAM。
nvSRAM是基于其S8 0.13-微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存储器技术，能达到更大的密度并改善存取时间和性能。
串行nvSRAM系列包括拥有多种配置和标准SPI接口的1-Mbit器件，采用8-pin DFN和16-pin SOIC小尺寸封装，工作频率最高可达40MHz。其中一款产品还集成了RTC。
该项决定将使USB 3.0的普及推迟一年，因为没有芯片组的支持，只会有一些高端的图形工作站支持USB 3.0。对于普通的PC机，厂商必须要购买额外的控制来支持USB 3.0，这无疑将带来成本增加。
USB 3.0的技术规范,发布了“扩展主控制器界面”(XHCI)规范，这一规范将使得芯片制造商按照标准化的方式研发支持USB 3.0的硬件。
每个输出可同步驱动两条双端75欧姆线缆。其滤波器/缓冲器部分工作于3.3V单电源。该器件包括一个专门的5V电源引脚，用于支持D型连接器和 S1/S2信令。
要使用USB接口来连接像是汽车导航系统的装置到车载装备上，装置开发人员必须面对一些困难的挑战。例如，要增加一个USB连接端口至主要IC芯片上不但会增加成本，也会增加封装尺寸。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
1-Mbit串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM)系列，以及新的拥有集成实时时钟（RTC）的4-Mbit和8-Mbit nvSRAM。
nvSRAM是基于其S8 0.13-微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存储器技术，能达到更大的密度并改善存取时间和性能。
串行nvSRAM系列包括拥有多种配置和标准SPI接口的1-Mbit器件，采用8-pin DFN和16-pin SOIC小尺寸封装，工作频率最高可达40MHz。其中一款产品还集成了RTC。
该项决定将使USB 3.0的普及推迟一年，因为没有芯片组的支持，只会有一些高端的图形工作站支持USB 3.0。对于普通的PC机，厂商必须要购买额外的控制来支持USB 3.0，这无疑将带来成本增加。
USB 3.0的技术规范,发布了“扩展主控制器界面”(XHCI)规范，这一规范将使得芯片制造商按照标准化的方式研发支持USB 3.0的硬件。
每个输出可同步驱动两条双端75欧姆线缆。其滤波器/缓冲器部分工作于3.3V单电源。该器件包括一个专门的5V电源引脚，用于支持D型连接器和 S1/S2信令。
要使用USB接口来连接像是汽车导航系统的装置到车载装备上，装置开发人员必须面对一些困难的挑战。例如，要增加一个USB连接端口至主要IC芯片上不但会增加成本，也会增加封装尺寸。
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